"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)
Бессолов В.Н.1,2,3, Коненкова Е.В.1,2,3, Кукушкин С.А.1,2,3, Николаев В.И.1,2,3, Осипов А.В.1,2,3, Шарофидинов Ш.1,2,3, Щеглов М.П.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: bes@triat.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Излагается идея нового технологического метода выращивания слоев нитрида галлия в полуполярном направлении газофазной эпитаксией в хлоридной системе (HVPE). В качестве подложки предложен Si(210), а в качестве буферных слоев использованы: в начале --- 3C-SiC, а затем --- AlN. Впервые экспериментально показано, что в условиях анизотропной деформации гетероструктуры GaN/AlN/3C-SiC/Si(210) происходит рост GaN-слоя в полуполярных направлениях.
  1. Baker T.J., Haskell B.A., Wu F., Speck J.S., Nakamura S. // Jpn. J. Appl. Phys. Part 2. 2006. V. 45. P. L154
  2. Wagner B.P., Reitmeier Z.J., Park J.S., Bachelor D., Zakharov D.N., Liliental-Weber Z., Davis R.F. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 290. P. 504--512
  3. Tanikawa T., Hikosaka T., Honda Y., Yamaguchi M., Sawaki N. // Phys. Status Solidi. C. 2008. V. 5. P. 2966--2968
  4. Sawaki N., Honda Y. // Sci China-Technol. Sci. 2011. V. 54. P. 38--41
  5. Abe Y., Komiyama J., Isshiki T., Suzuki S., Yoshida A., Ohishi H., Nakanishi H. // Materials Science Forum. 2009. V. 600--603. P. 1281--1284
  6. Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Полетаев Н.К., Шарофидинов Ш., Щеглов М.П. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. С. 21--26.
  7. Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. С. 1238--1245
  8. Кукушкин С.А., Осипов А.В. // Доклады Академии наук. 2012. Т. 444. С. 266--269
  9. Wei T.B., Hu Q., Duan R.F., Wei X.C., Yang J.K., Wang J.X., Zeng Y.P., Wang G.H., Li J.M. // J. Electrochem. Soc. 2010. V. 157. P. H721--H726
  10. Cordier Y., Moreno J.-C., Baron N., Frayssinet E., Chenot S., Damilano B., Semond F. // Phys. Status Solidi. C. 2009. V. 6. S1020--S1023

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.