"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Твердотельный автоэмиссионный диод
Беспалов В.А.1, Ильичев Э.А.1, Кулешов А.Е.1, Мигунов Д.М.1, Набиев Р.М.1, Петрухин Г.Н.1, Рычков Г.С.1, Щербахин Ю.В.1
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: edi144@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Представляются результаты экспериментальных исследований характеристик твердотельных автоэмиссионных диодов, впервые полученных на основе гетероструктур кремний/алмаз, с наноструктурированной гетерограницей.
  • Vikulov N., Kichaeva N. // Electronica: NTB. 2008. N 5. P. 70
  • Ha J.K., Chung B.H., Han S.Y. et al. // L. Vac. Sci. Technol. 2002. V. 20. P. 2080
  • de Jonge N., Bonard J.M. // Philos. Trans. R. Soc. Lond. A. 2004. V. 362. P. 2239
  • Ильичев Э.А., Инкин В.Н., Мигунов Д.М., Петрухин Г.Н., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Шкодин Д.В. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 4. С. 48--52
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.