"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Формирование p-n-перехода в ходе твердофазных химических реакций с участием суперионных кристаллов
Акопян И.Х.1,2, Заморянская М.В.1,2, Кузнецова Я.В.1,2, Новиков Б.В.1,2, Цаган-Манджиева Д.А.1,2
1НИИ физики СПбГУ им. В.А. Фока, Санкт-Петурбург
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bono1933@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

Показана принципиальная возможность формирования полупроводниковых гетеропереходов в системах AgI-Ag2HgI4-HgI2 и CuI-Cu2HgI4-HgI2, образованных в результате контролируемых диффузией твердофазных химических реакций. Методами экситонной спектроскопии и рентгено-спектрального микроанализа получены концентрационные профили диффундирующих ионов в образованных системах. Измерены ВАХ гетерограниц между тройным соединением и бинарными кристаллами в темноте и при освещении.
  1. Питер Ю., Мануэль Кардона Основы физики полупроводников. М.: Физмат, 2002. 560 с
  2. Akopyan I.Kh., Klochikhin A.A., Novikov B.V., Valakh M.Ya., Litvincuk A.P., Kosazku I. // Phys. St. Sol. (a). 1990. T. 119. P. 363
  3. Akopyan I.Kh., Klochikhin A.A., Novikov B.V. // Proc. XII Intern. Conf. Defects in Insulated Materials. Nordkiren, 1992. P. 942--944
  4. Акопян И.Х., Соболева С.А., Новиков Б.В. // ФТТ. 1994. Т. 36. С. 2495--2507
  5. Michelle D. Regulacio, Chen Ye, Suo Hon Lim et al. // J. Am. Chem. Soc. 2011. V. 133(7). P. 2052--2055

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.