Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2012, выпуск 3 » Статья стр. 10
<<<>>>
Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой
Надточий А.М.1,2,3,4, Блохин С.А.1,2,3,4, Кузьменков А.Г.1,2,3,4, Максимов М.В.1,2,3,4, Малеев Н.А.1,2,3,4, Трошков С.И.1,2,3,4, Леденцов Н.Н.1,2,3,4, Устинов В.М.1,2,3,4, Mutig A.1,2,3,4, Bimberg D.1,2,3,4
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4Institut for Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin Germany
Email: al.nadtochy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.
PDF версия
Приведены результаты сравнительных исследований структурных параметров, статических и динамических характеристик вертикально-излучающих лазеров (VCSEL) с микрорезонаторами на основе Al0.15Ga0.85As и Al0.8Ga0.2As. Вследствие вертикального окисления слоев микрорезонатора Al0.8Ga0.2As при формировании оксидной токовой апертуры происходит значительное увеличение толщины оксида, приводящее к существенному уменьшению паразитной емкости прибора и увеличению в 1.7-2 раза частоты отсечки низкочастотного фильтра, образованного паразитными элементами электрической эквивалентной схемы.
  1. Kenichi Iga // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 2000. V. 6. N 6. P. 1201
  2. Blokin S.A., Lott J.A., Mutig A., Fiol G., Ledentsov N.N., Maximov M.V., Nadtochiy A.M., Shchukin V.A., Bimberg D. // Electron. Lett. 2009. V. 45. N 10. P. 501
  3. Mutig I.A., Blokhin S.A., Nadtochiy A.M., Fiol G., Lott J.A., Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Bimberg D. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. P. 131101
  4. Надточий А.М., Блохин С.А., Мутиг А., Лотт Дж., Леденцов Н.Н., Карачинский Л.Я., Максимов М.В., Устинов В.М., Бимберг Д. // ФТП. 2011. Т. 45. С. 688
  5. Larsson A., Westbergh P., Gustavsson J., Haglund A. // Proc. of SPIE. 2010. V. 7615. P. 761505
  6. Ledentsov N.N. et al. // Proc. of SPIE. San Diego, CA, USA 64681O, 2007
  7. Blokhin S.A. et al. // J. Quant. ELectron. 2006. V. 42. P. 851
  8. Coldren L.A., Corzine S.W. Diode lasers and photonic integrated circuits. Wiley, 1995
  9. Hawkins B.M., Hawthorne III, R.A., Guenter J.K., Tatum J.A., Biard J.R. Proceedings of IEEE 52nd Electronic Components and Tecnology Conference. San Diego, CA. May 2002. P. 540--550
  10. Chang Y.-C., Coldren L.A. // J. Sel. Topics Quant. Electron. 2009. V. 15. P. 704

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme