"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
Терещенко О.Е.1,2,3,4,5, Паулиш А.Г.1,2,3,4,5, Неклюдова М.А.1,2,3,4,5, Шамирзаев Т.С.1,2,3,4,5, Ярошевич А.С.1,2,3,4,5, Просвирин И.П.1,2,3,4,5, Жаксылыкова И.Э.1,2,3,4,5, Дмитриев Д.В.1,2,3,4,5, Торопов А.И.1,2,3,4,5, Варнаков С.Н.1,2,3,4,5, Рауцкий М.В.1,2,3,4,5, Волков Н.В.1,2,3,4,5, Овчинников С.Г.1,2,3,4,5, Латышев А.В.1,2,3,4,5
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск
4Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
5Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Email: teresh@thermo.isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.

Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.
  • vZutic I., Fabian J., das Sarma S. // Rev. Modern Physics. 2004. V. 76. P. 323
  • Wastlbauer G., Bland J.A.C. // Advances in Physics. 2005. V. 54. P. 137
  • Rougemaille N., Lamine D., Lampel G., Lassailly Y., Peretti L. // Phys. Rev. 2008. V. B 77. P. 094409
  • Tereshchenko O.E., Lamine D., Lampel G., Lassailly Y., Li X., Paget D., Peretti J. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 113708
  • Tereshchenko O.E., Shamirzaev T.S., Gilinsky A.M., Toropov A.I., Dmitriev D.V., Lamine D., Paget D., Lassailly Y., Peretti J. // Proceedings of the 17 Int. Symp. "Nanostructures: Physics and technology". Minsk, Belarus. 2009, June 22--26. P. 332
  • Tereshchenko O.E., Chikichev S.I., Terekhov A.S. // J. Vac. Sci. Technol. 1999. V. A 17. P. 2655
  • Терещенко О.Е., Паулиш А.Г., Шамирзаев Т.С., Гилинский А.М., Неклюдова М.Н., Дмитриев Д.Д., Торопов А.И., Lampel G., Lassailly Y., Paget D., Peretti J. // Труды XV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 2011, 14--18 марта С. 153
  • Waldrop J.R., Grant R.W. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. P. 630
  • Massies J., Delescluse P., Linh N.T. // Collected Papers of 2nd International Symposium on Molecular Beam Epitaxy and Related Clean Surface Techniques. Tokyo, 1982, 27--30 August. P. 287
  • Brun M., Berthet A., Bertolini J.C. // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 1999. V. 104. P. 55
  • Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol P.E., Bomben K.D. // Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy / Ed. by J. Chastain. Perkin-Elmer Corporation, Physical Electronics Division, 1992
  • Felissimo M.P., Martyanov O.N., Risse T., Freund H.-J. // Surface Science. 2007. V. 601. P. 2105
  • Beutier G., van der Laan G., Chesnel K., Marty A., Belakhovsky M., Collins S.P., Dudzik E., Toussaint J.-C., Gilles B. // Phys. Rev. 2005. V. B 71. P. 184436
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.