Вышедшие номера
Поверхностная энергия образования монослоя при росте нитевидного нанокристалла по механизму "пар-жидкость-кристалл"
Дубровский В.Г.1, Назаренко М.В.1
1Санкт-Петербургский Академический университет РАН Физико-технический институт И.М. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: NazarenkoMV@gmail.com
Поступила в редакцию: 10 января 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Получено точное выражение для эффективной поверхностной энергии образования монослоя при росте двумерно-изотропного нитевидного нанокристалла по механизму "пар-жидкость-кристалл" с учетом фасетирования боковой поверхности. Дан теоретический анализ условий устойчивости капли на вершине нитевидного нанокристалла и преимущественной нуклеации на тройной линии в различных геометриях латеральной границы жидкость-кристалл. Полученные результаты исправляют неточности, допущенные ранее при решения аналогичной задачи, и позволят рассчитывать барьеры нуклеации, определяющие вероятности образования различных кристаллических фаз III-V ННК.
  1. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89
  2. Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 12. С. 1585
  3. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977
  4. Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Цырлин Г.Э. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 16. С. 41
  5. Glas F., Harmand J.C., Patriarche G. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. P. 146101
  6. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Harmand J.C., Glas F. // Phys. Rev. B. 2008. V. 78. P. 235301
  7. Johansson J., Karlsson L.S., Dick K.A. et al. // Cryst. Growth and Design. 2009. V. 9. P. 766
  8. Glas F., Harmand J.C., Patriarche G. // Phys. Rev. Lett. 2010. V. 104. P. 135501
  9. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Suris R.A., Cirlin G.E., Harmand J.C., Ustinov V.M. // Surf. Sci. 2007. V. 601. N 18. P. 4395--4401
  10. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Cirlin G.E. et al. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 205316
  11. Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В. и др. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 5. С. 587
  12. Ren X., Huang H., Dubrovskii V.G. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26. P. 014034
  13. Dick K.A., Caroff P., Bolinsson J. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2010. V. 25. P. 024009
  14. Moewe M., Chuang L.C., Dubrovskii V.G., Chang-Hasnain C. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 044313
  15. Cirlin G.E., Dubrovskii V.G., Samsonenko Yu.B. et al. // Phys. Rev. B. 2010. V. 82. P. 035302.
  16. Дубровский В.Г. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 2. С. 1
  17. Небольсин В.А., Щетинин А.А. // Неорганические материалы. 2003. Т. 39. N 9. С. 1050
  18. Дубровский В.Г., Сибирев Н.В. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 8. С. 73
  19. Ross F.M., Tersoff J., Reuter M.C. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. P. 146104.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.