"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs0.88Sb0.12/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5-4.9 mum
Шерстнев В.В.1, Старостенко Д.1, Андреев И.А.1, Коновалов Г.Г.1, Ильинская Н.Д.1, Серебренникова О.Ю.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: igor@iropt9.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 11 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Созданы фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs0.94Sb0.06/ InAs0.88Sb0.12/InAsSbP/InAs с диаметрами фоточувствительной площадки 0.3 mm, работающие при комнатной температуре в среднем ИК-диапазоне спектра 2.5-4.9 mum. Отличительной особенностью фотодиодов является токовая монохроматическая чувствительность в максимуме спектра (lambdamax=4.0-4.6 mum), достигающая значений 0.6-0.8 A/W, значение плотности обратных темновых токов (1.3-7.5)·10-2 A/cm2 при напряжении обратного смещения 0.2 V. Дифференциальное сопротивление в нуле смещения достигает величины 700-800 Omega. По нашим оценкам, обнаружительная способность фотодиодов в максимуме спектральной чувствительности составляет (5-8)· 108cm· Hz1/2· W-1.
  1. Andreev I.A., Baranov A.N., Mikhailova M.P. et al. // Sov. Tech. Phys. Lett. 1992. V. 18. N 9. P. 567--568
  2. Журтанов Б., Ильинская Н.Д., Именков А.Н. и др. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 4. С. 468--472
  3. Закгейм А.Л., Зотова Н.В., Ильинская Н.Д. и др. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 3. С. 412--417
  4. Фотодиод PD45Sc на сайте www.mirdog.spb.ru
  5. Gao H.H., Krier A., Sherstnev V.V. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. N 6. P. 872--874
  6. Voronina T.I., Logunova T.S., Moiseev K.D. et al. // Semiconductors. 1999. V. 33. N 7. P. 719--725
  7. Gao H.H., Krier A., Sherstnev V.V. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. N 12. P. 8419--8422

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.