Транспортный слой на границе раздела двух полимерных пленок
Салихов Р.Б.1, Лачинов А.Н.1, Рахмеев Р.Г.1
1Башкирский государственный педагогический университет, Уфа Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН, Уфа
Email: salikhov@bspu.ru
Поступила в редакцию: 19 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.
Исследованы электронные транспортные свойства двумерного граничного слоя, образованного двумя пленками органического полимерного материала. Установлено, что электропроводность такого слоя на несколько порядков превышает поверхностную проводимость отдельных пленок, составляющих экспериментальную структуру. Проведенные температурные измерения показали, что перенос носителей заряда вдоль этого слоя характеризуется в рамках моделей термоэлектронной эмиссии и прыжкового транспорта по ловушечным уровням. PACS: 73.61.Ph, 73.21.Ac
- Park Y.D., Lim J.A., Lee H.S. et al. // Materials Today. 2007. V. 10. N 3. P. 46
- Avilov I., Cornil J. // Nanomeeting-2007. Minsk, May 22--25, 2007. P. 110
- Vazquez H., Gao W., Flores F., Kahn A. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 41306(R)
- Компанеец А.С. Теоретическая физика. М.: ГИТТЛ, 1957. 563 с
- Schefefold F., Budkowski A., Steiner U. et al. // J. Chem. Phys. 1996. V. 104. P. 8795
- Салазкин С.Н. // Высокомолекулярные соединения Б. 2004. Т. 46. С. 1244
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Кн. 1. 456 с. ( Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. New York: Wiley, 1981)
- Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 1. 368 c. ( Mott N.F., Davis E.A. Electron Processes In Non-Crystalline Materials. Clarendon, Oxford, 1979)
- Duke C.B., Fabish T.J. // Phys. Rev. Lett. 1976. V. 37. N 16. P. 1075
- Лачинов А.Н., Загуренко Т.Г., Корнилов В.М. и др. // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 10. С. 1882
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук