Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Акустостимулированное изменение плотности и энергетического спектра поверхностных состояний в монокристаллах p-кремния
1Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан 
2Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
2Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Email: Catherine.Zav@rambler.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.
Рассмотрено влияние ультразвуковых волн различной мощности на плотность NSS и энергетический спектр поверхностных состояний в p-Si-монокристаллах. Обнаружено, что в зависимости от режима облучения ультразвуковыми волнами в p-Si-монокристаллах происходят уменьшение или увеличение величины NSS по сравнению с необлученными монокристаллами. При этом происходит перераспределение интегрального заряда поверхностных состояний по ширине запрещенной зоны кремния. Наблюдаемый эффект связан с тем, что ультразвуковая волна, являясь, носителем энергии, модифицирует дефектную подсистему приповерхностных слоев кристалла путем перераспределения атомов примеси и генерации новых дефектов в нем. PACS: 72.50.+b, 73.20.At, 73.40.Sx
- Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А. // Тез. докл. XXXIII Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. М.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1983. 19--21 апреля С. 530
- Гаибов А.Г., Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д. // Там же. С. 531
- Гаибов А.Г., Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д. и др. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. В. 10. С. 616--620
- Заверюхина Е.Б., Заверюхина Н.Н., Лезилова Л.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 1. С. 54--66
- Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А. и др. // Физика и техника полупроводников. 1986. Т. 20. В. 3. С. 525--528
- Олих О.Я., Островский И.В. // Физика твердого тела. 2002. Т. 44. В. 7. С. 1198--2001
- Ермолович И.Б., Миленин В.В., Конакова Р.В. и др. // Физика и техника полупроводников. 1997. Т. 31. В. 4. С. 503--507
- Валиев К.А., Козлов Б.И., Кокин А.А. // Микроэлектроника. 1972. Т. 1. В. 5. С. 26--34
- Литовченко В.Г., Ковбасюк В.П., Садовничий А.А. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника: Сборник. Киев: Наук. думка, 1970. В. 4. С. 39
- Парчинский П.Б., Власов С.И., Лигай Л.Г. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 7. С. 829--832
- Парчинский П.Б. // Микроэлектроника. 2005. Т. 34. N 6. С. 420--432
- Майер В.В. Простые опыты с ультразвуком. М.: Наука, 1978. С. 109--132
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. Ч. 3. Гл. 5. С. 257--324. ( Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. Second edition. A Wiley-Interscience Publication John Wiley \& Sons. New York. Brisbane. Toronto. Singapore. 1981)
- Берман Л.С., Власов С.И., Брискин В.С., Ременюк А.Д. // Заводская лаборатория. 1980. Т. 46. N 3. С. 242--252
- Terman L.M. // Sol. Stat. Elect. 1962. N 5. P. 803--831
- Островский И.В., Стеленко Л.П., Надточий А.Б. // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 24. В. 3. С. 257--260
- Заверюхин Б.Н., Заверюхина Н.Н., Турсункулов О.М. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 18. С. 1--2
- Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. Herbert F. Matare. Defect Electronics in Semiсonductors. Wiley-Interscience a Division of John Wiley and Sons, Inc. New York--London--Sydney--Toronto. 1971. Гл. 11. С. 331--343
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
