Предел растворимости и термоэлектрические свойства пересыщенного висмутом теллура
Орлов А.М., Гончар Л.И., Саланов А.А.
Email: gonchar@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 11 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
Исследовалась зависимость концентрации носителей заряда в образцах теллура, легированного малыми добавками висмута в зависимости от концентрации введенной примеси с целью фиксации границы образования второй фазы в системе. Обнаружено, что все легированные висмутом образцы, в отличие от исходного нелегированного материала, обладают дырочной проводимостью и по мере возрастания процентного содержания примеси концентрация дырок существенно увеличивается, достигая предельного значения 2.1· 1018 cm-3 при 0.1 at.% Bi. Этот вывод полностью согласуется с характером трансформации температурных зависимостей термоэлектродвижущей силы, где снижение alpha при YBi>0.1 at.% обусловлено нарастающим вкладом включений вторых фаз (Bi2Te3). PACS: 81.05.-t
- Житинская М.К., Немов С.А., Свечникова Т.Е. // ФТТ 1998. Т. 40 (8). С. 1428
- Швангирадзе Р.Р., Сабо Е.П. // Неорганические материалы. 2000. Т. 36 (11). С. 1316
- Кутасов В.А., Лукьянова Л.Н., Константинов П.П. // ФТП. 2000. Т. 34 (4). С. 389
- Житинская М.К., Немов С.А., Свечникова Т.Е. // ФТП. 1997. Т. 31 (4). С. 441
- Драпак С.И., Манассон В.А., Нетяга В.В., Ковалюк З.Д. // ФТП. 2003. Т. 37 (2). С. 180
- Гасекова И.В., Житинская М.К., Немов С.А., Свечникова Т.Е. // ФТТ. 1999. Т. 41 (11). С. 1969
- Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И., Федоров М.И., Компаниец В.В. // ФТП. 2004. Т. 38 (7). С. 811
- Веракс В.И., Ланге В.Н., Ланге Т.И. // ЖФХ. 1963. Т. 37 (10). С. 2308--2310
- Полупроводники / Пер. с англ. под ред. Н.Б. Хеннея М.: Иностр. лит., 1962. 668 с
- Heikes R.R., Ure R.W. Termoelectrocity. Intercience Publishers. N. Y., 1961. P. 313
- Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. шк., 1987. 240 с
- Кофтюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1970. 430 с
- Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. 264 с
- Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов / Справочник. М.: Металлургия, 1974. 74 с
- Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И., Симакин С.Г. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 5. С. 70
- Стильбанс Л.И. Физика полупроводников. М.: Сов. радио, 1967. 452 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук