Вышедшие номера
Повышение эффективности светодиодов на основе твердых растворов GaInAsSb при пониженном содержании мышьяка в активной области
Журтанов Б.Е.1, Данилова Т.Н.1, Именков А.Н.1, Сиповская М.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

Созданы светодиодные структуры на подложках GaSb с составом активной области Ga1-xInxAsySb1-y вблизи границы несмешиваемости (x=0.24) с пониженным содержанием As (y=0.16) относительно изопериодного состава. Обнаружена большая плотность дислокаций несоответствия. Тем не менее внешний квантовый выход излучения имеет рекордное значение 1.2% при комнатной температуре для спектральной полосы с длиной волны в максимуме 2.42 mum. Максимальная импульсная мощность излучения достигает 3.3 mW при токе 600 mA. Преобладает межзонное излучение, что говорит о высокой степени стехиометрии активной области.
  1. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений III и V групп. М.: Мир, 1967
  2. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника: Справочник. Киев: Наук. думка, 1975
  3. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. of Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5815--5875
  4. Астахова А.П., Гребенщикова Е.А., Иванов Э.В. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 12. С. 1466--1472
  5. Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е. и др. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 12. С. 1465--1472
  6. Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 6. С. 745--752
  7. Именков А.Н., Гребенщикова Е.А., Журтанов Б.Е. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 11. С. 1399--1407
  8. Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гребенщикова Е.А. и др. // ФТП. 1989. Т. 23. В. 8. С. 373--377

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.