Экспериментально реализован и теоретически исследован сверхбыстрый механизм коммутации тока в полупроводниках на основе туннельно-ударного ионизационного фронта. На полупроводниковый прибор, содержащий 20 последовательно соединенных кремниевых диодных структур, подавался импульс напряжения амплитудой 220 kV с временем нарастания 1 ns. После переключения прибора в передающей 50-Omega линии получены импульсы с амплитудой 150-160 kV, импульсной мощностью 500 MW, длительностью 1.4 ns и временем нарастания 200-250 ps. Максимальные скорости роста тока и напряжения составили 10 kA/ns и 500 kV/ns соответственно. Плотность коммутируемого тока - 13 kA/cm². Приводятся результаты численного моделирования, показывающие, что инициирующим фактором процесса коммутации тока является достижение электрическим полем величины 1 MV/cm в окрестности p-n-перехода, когда начинается туннельная ионизация кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.