Акустостимулированное расширение коротковолнового диапазона спектральной чувствительности AlGaAs/GaAs-солнечных элементов
Заверюхина Е.Б., Заверюхина Н.Н., Лезилова Л.Н., Заверюхин Б.Н., Володарский В.В., Муминов Р.А.
Email: oybtm@physic.uzsci.net
Поступила в редакцию: 25 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Исследуется влияние ультразвуковых волн на спектральную чувствительность AlGaAs/GaAs-солнечных элементов. Обнаружено, что облучение ультразвуковыми волнами варизонного Al1-xGaxAs-слоя, легированного цинком, приводит к формированию поверхностного слоя, чувствительного к электромагнитному излучению для длин волн lambda<0.551 mum. Показано, что такой слой образуется в результате акустостимулированной диффузии цинка из слоя в глубь образца. Отмечается, что наблюдаемое расширение коротковолнового диапазона спектральной чувствительности, увеличение эффективности собирания неравновесных носителей заряда в AlGaAs/GaAs-солнечных элементах связаны с улучшением дефектной структуры кристалла и перераспределением в ней атомов примеси под действием ультразвука.
- Заверюхин Б.Н., Заверюхина Н.Н., Турсункулов О.М. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 18. С. 1--12
- Искандеров А., Кревчик В.Д., Муминов Р.А., Шадыбеков И.У. // Гелиотехника. 1988. N 6. С. 19--22
- Искандеров А., Кревчик В.Д., Муминов Р.А., Шадыбеков И.У. // Гелиотехника. 1989. N 4. С. 25--28
- Андреев В.М., Долгинов А.М., Третьяков Д.Н. // Жидкофазная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. 328 с
- Заверюхин Б.Н., Искандеров А., Исмаилов Х.Х. и др. // Гелиотехника. 1987. N 1. С. 11--14
- Андреев В.М., Головнер Т.М., Каган М.Б. и др. // ФТП. 1973. Т. 7. В. 12. С. 2289--2296
- Именков А.Н., Назаров Н., Сулейманов Б.С. и др. // ФТП. 1978. Т. 12. В. 12. С. 2377--2385
- Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Задиранов Ю.М. и др. // Письма в ЖТФ. 1978. Т. 4. В. 18. С. 1128--1132
- Еремин В.К. Иследование влияния объемного заряда на свойства полупроводниковых детекторов ядерных излучений. Канд. дис. Л., 1978
- Заверюхин Б.Н., Заверюхина Н.Н., Муминов Р.А. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 5. С. 75--83
- Еремин В.К., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. // ФТП. 1975. Т. 9. В. 3. С. 530--534
- Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А. и др. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 3. С. 525--528
- Zaveryukhin B.N., Zaveryukhina N.N., Lezilova L.N., Zaveryukhina E.B. // 3^rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion 18th European PV Solar Energy Conference. May 11-18, 2003. Osaka, Japan, 3P-B5-38. P. 74
- Дирнли Дж., Нортроп Д. Полупроводниковые счетчики ядерных излучений. М.: Мир, 1966. 359 с
- Krevchik V.D., Muminov R.A., Yafasov A.Ya. // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. V. 63. P. K159--K162
- Алаев А.А., Андреев В.М., Заверюхин Б.Н. и др. // Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Ашхабад, 1991. АН СССР, Научный совет по проблеме "Физика и химия полупроводников". Тез. докл. 2-й Научной конференции. 23-25 апреля 1991 г. С. 221--222
- Баранский П.И., Беляев А.Е., Комиренко С.М., Шевченко Н.В. // ФТТ. 1999. Т. 32. В. 7. С. 2159--2161
- Заверюхин Б.Н., Муминов Р.А., Заверюхина Н.Н.. и др. // Конференция "Фотоэлектрические явления в полупроводниках". АН РУз, Научно-технологический центр Украины, Ташкент, 20--21 апреля 2004. С. 2--4
- Ермолович И.Б., Миленин В.В., Конакова Р.В. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 4. С. 503--508
- Громашевский В.Л., Дякин В.В. и др. // Укр. физ. журнал. 1984. Т. 9. В. 9. С. 550--554
- Парчинский П.Б., Власов С.И., Муминов Р.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 10. С. 40--45
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук