Вышедшие номера
Условия предотвращения теплового пробоя полупроводниковых приборов
Цэндин К.Д.1, Шмелькин А.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alibumbles@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

При разработке современных приборов возникает вопрос об определении области параметров для безопасной работы. Одной из универсальных причин отказа приборов, ограничивающей возможные значения параметров, является тепловой пробой [1-6]. Под пробоем мы понимаем спонтанное лавинообразное нарастание температуры и тока при незначительном увеличении напряжения. Полученные в данной работе результаты позволяют прогнозировать возможность теплового пробоя полупроводника и выбирать параметры для его предотвращения.
  1. Брагин С.М., Вальтер А.Ф., Семенов Н.Н. Теория и практика пробоя диэлектриков. М.; Л.: Госиздат, 1929. С. 383
  2. Алферов Ж.И., Уваров А.И. // Электричество. 1964. N 5. С. 53
  3. Уваров А.И. Некоторые вопросы разработки, исследования и применения полупроводниковых приборов. Л.: Наука, 1965
  4. Фок В.А. // Тр. ЛФТИ. 1928. Т. 5. С. 52
  5. Горбатюк А.В., Линийчук И.А., Свирин А.В. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 6. С. 42--45
  6. Горбатюк А.В., Родин П.Б. // ПЖТФ. 1990. Т. 16. В. 3. С. 89--93
  7. Ridley B.K. // Proc. Phys. Soc. 1963. V. 82. N 6. P. 954--966
  8. Горбатюк А.В., Панайотти И.Е. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 9. С. 35--41
  9. Mnatsakanov T.T., Rostovtsev I.L., Filatov N.I. // Solid-St. Electronics. 1987. V. 30. N 6. P. 579--586
  10. Лебедев Э.А., Цэндин К.Д. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под ред. К.Д. Цэндина. СПб: Наука, 1996. С. 486
  11. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.