Латеральный эмиттер как базовый элемент интегральной эмиссионной электроники
Гаврилов С.А.1, Ильичев Э.А.1, Козлитин А.И.1, Полторацкий Э.А.1, Рычков Г.С.1, Дзбановский Н.Н.1, Дворкин В.В.1, Суетин Н.В.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета
Email: polt@niifp.ru
Поступила в редакцию: 22 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Основным элементом эмиссионной электроники, определяющим возможности приборов, является полевой эмиттер. Предлагается латеральный эмиттер на основе углеродных нанотрубок для эмиссионной интегральной микроэлектроники. Исследованы зависимости эмиссионного тока от тянущего и управляющих полей и показано, что латеральный эмиттер может быть использован во всех микроэлектронных аналогах вакуумных приборов от сверхвысокочастотных до плоских экранов, при этом технология изготовления приборов является интегральной.
- Hsu D.S.Y. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. P2988--2990
- Li D., Zhang J. // J. Vac. Sci. Technol. 2001. V. 19 (5). P. 1820--1823
- Teh A.S., Lee S.-B., Teo K.B.K. // Microelectronic Engineering. 2003. N 67--68. P. 789--796
- Gavrilov S.A., Dzbanovsky N.N., Dvorkin V.V. et al. // Proceedings of 11th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia. June 23-28, 2003. P. 234--236
- Gavrilov S.A., Dzbanovsky N.N., Dvorkin V.V. et al. // Abstr. Int. Conf. "Micro- and nanoelectronics-2003", October 6-10. Moscow--Zvenigorod, Russia, 2003. P. 01--27
- Huczko A. // Appl. Phys. 2002. A74. P. 617--638
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук