Вышедшие номера
Исследование примесных уровней в тонких поликристаллических пленках SmS
Каминский В.В.1, Сидоров В.А.2, Степанов Н.Н.1, Казанин М.М.1, Молодых А.А.1, Соловьев С.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия
Email: vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

На основании исследования температурных зависимостей электросопротивления тонких поликристаллических пленок SmS (толщина ~0.5/0.8 mum) в диапазоне температур 4.2/440 K была скорректирована модель зонной структуры данного вещества. Было показано, что основными примесными уровнями в тонких поликристаллических пленках SmS являются уровни, соответствующие локализованным состояниями вблизи дна зоны проводимости, а также примесные донорные уровни Ei, соответствующие ионам Sm, находящимся в вакансиях подрешетки S. При этом хвост локализованных состояний простирается до энергии примесных донорных уровней. Работа выполнена при поддержке РФФИ, грант N 11-08-00583-a, а также фирмы "SMS-tenzotherm GmbH".