Вышедшие номера
Механизм формирования и модификации энергетического спектра в системе Nd2-xCexCuOy под действием легирования церием
Мартынова O.A.1, Гасумянц В.Э.1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: vgas@rphf.spbstu.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Проведено экспериментальное исследование удельного сопротивления и коэффициента термоэдс в образцах системы Nd2-xCexCuOy (x=0.1-0.2), а также их анализ совместно с представленными в литературе данными об электронном транспорте в аналогичных образцах при варьировании содержания церия в широком диапазоне (x=0.025-0.22). Выявлены характерные для неодимовых ВТСП особенности температурных и концентрационной зависимостей коэффициента термоэдс. Показано, что модель асимметричной узкой зоны позволяет удовлетворительно описать все экспериментальные температурные зависимости коэффициента термоэдс в неодимовых ВТСП при x>0.06, что доказывает возможность применения данной модели в качестве универсального метода описания и анализа особенностей электронного транспорта в ВТСП различных систем. Определены параметры энергетического спектра и системы носителей заряда в нормальной фазе, и обнаружено, что их значения в системе Nd2-xCexCuOy в целом близки к величинам, характерным для других ВТСП-систем. Проанализированы тенденции в изменении данных параметров при увеличении содержания церия и показано, что они существенно различаются в случаях underdoped- и overdoped-диапазонов легирования. Сделано предположение о формировании при легировании Nd2CuOy церием новой узкой зоны, которая возникает внутри мотт-хаббардовской щели вследствие переноса состояний из нижней хаббардовской подзоны. Показано, что "midgap" модель позволяет объяснить все полученные результаты. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ (программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 гг., г/к N П1237) и гранта Президента РФ для молодых российских ученых - кандидатов наук (МК-4806.2012.2).