Вышедшие номера
Теплопроводность моноизотопного монокристаллического 29Si в интервале температур 2.4-410 K
Инюшкин А.В.1, Талденков А.Н.1, Гусев А.В.2, Гибин А.М.2, Гавва В.А.2, Козырев Е.А.2
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: Inyushkin_AV@rrcki.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.

В интервале температур 2.4-410 K проведены измерения температурной зависимости теплопроводности kappa(T) монокристалла кремния, высокообогащенного по изотопу 29Si (99.919%). При низких температурах (T<6 K) в режиме граничного рассеяния фононов теплопроводность кристалла 29Si выше, чем кристалла 28Si (99.983%). В области высоких температур, где теплопроводность определяется ангармоническими процессами рассеяния фононов, величина теплопроводности 29Si ниже, чем в случае 28Si. Выводы теории фононной теплопроводности о массовой зависимости величины kappa(T) согласуются с экспериментальными результатами.