Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Теплопроводность моноизотопного монокристаллического 29Si в интервале температур 2.4-410 K
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: Inyushkin_AV@rrcki.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
В интервале температур 2.4-410 K проведены измерения температурной зависимости теплопроводности kappa(T) монокристалла кремния, высокообогащенного по изотопу 29Si (99.919%). При низких температурах (T<6 K) в режиме граничного рассеяния фононов теплопроводность кристалла 29Si выше, чем кристалла 28Si (99.983%). В области высоких температур, где теплопроводность определяется ангармоническими процессами рассеяния фононов, величина теплопроводности 29Si ниже, чем в случае 28Si. Выводы теории фононной теплопроводности о массовой зависимости величины kappa(T) согласуются с экспериментальными результатами.
- А.П. Жернов, А.В. Инюшкин. УФН 171, 827 (2001)
- А.П. Жернов, А.В. Инюшкин. УФН 172, 573 (2002)
- M. Cardona, M.L.W. Thewalt. Rev. Mod. Phys. 77, 1173 (2005)
- А.Ф. Иоффе. Полупроводниковые термоэлементы. Изд-во АН СССР, М.--Л. (1960). C. 91
- Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников. Наука, М. (1972). С. 224
- P. Becker, D. Schiel, H.-J. Pohl, A.K. Kaliteevski, O.N. Godisov, M.F. Churbanov, G.G. Devyatykh, A.V. Gusev, A.D. Bulanov, S.A. Adamchik, V.A. Gavva, I.D. Kovalev, N.V. Abrosimov, B. Hallmann-Seiffert, H. Riemann, S. Valkiers, P. Taylor, P. DeBievre, E.M. Dianov. Meas. Sci. Technol. 17, 1854 (2006)
- Г.Г. Девятых, А.Д. Буланов, А.В. Гусев, И.Д. Ковалев, В.А. Крылов, А.М. Потапов, П.Г. Сенников, С.А. Адамчик, В.А. Гавва, А.П. Котков, М.Ф. Чурбанов, Е.М. Дианов, А.К. Калитеевский, О.Н. Годисов, Х.-Й. Поль, П. Беккер, Х. Риман, Н.В. Абросимов. ДАН 421, 61 (2008)
- P. Becker, H.-J. Pohl, H. Riemann, N. Abrosimov. Phys. Status Solidi A 207, 49 (2010)
- А.В. Гусев, В.А. Гавва, Е.А. Козырев, А.М. Потапов, В.Г. Плотниченко. Неорган. материалы 47, 773 (2011).
- H. Lundt, M. Kerstan, A. Huber, P.O. Hahn. In: Subsurface damage of abraded silicon wafers. Proc. of 7th Int. Symp. on silicon materials science and technology / Eds. H.R. Huff, W. Bergholz, K. Sumino. The Electrochemical Society, Pennington, N. J. (1994). V. 94 -10, P. 218
- A.V. Inyushkin, A.N. Taldenkov, A.M. Gibin, A.V. Gusev, H.-J. Pohl. Phys. Status Solidi C 1, 2995 (2004)
- А.В. Гусев, А.М. Гибин, О.Н. Морозкин, В.А. Гавва, А.В. Митин. Неорган. материалы 38, 1305 (2002)
- G. Leibfried, E. Schlomann. Warmleitung in elektrisch isolierenden Kristallen. Nachrichten der Akademie der Wissenschaften in Gottingen. Math. Phys. Klasse IIa, 4, 7193 (1954); Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников. Наука, М. (1972). С. 72
- A.M. Gibin, G.G. Devyatykh, A.V. Gusev, R.K. Kremer, M. Cardona, H.-J. Pohl. Solid State Commun. 133, 569 (2005)
- R. Berman, F.E. Simon, J.M. Ziman. Proc. R. Soc. London A 220, 171 (1953); R. Berman, E.L. Foster, J.M. Ziman. Proc. R. Soc. London A 231, 130 (1955)
- И.И.Кулеев, И.Г. Кулеев, С.М. Бахарев, А.В. Инюшкин. ФТТ 55, 1, 24 (2013)
- A.K. McCurdy, H.J. Maris, C. Elbaum. Phys. Rev. B 2, 4077 (1970).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
