Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Времена релаксации и длины свободного пробега фононов в режиме граничного рассеяния для монокристаллов кремния
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия 
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: kuleev@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 29 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2012 г.
Исследована фокусировка фононов в кубических диэлектрических кристаллах, а также ее влияние на теплоперенос в режиме граничного рассеяния фононов при низких температурах. В модели анизотропного континуума рассчитаны длины пробега фононов различных поляризаций в образцах бесконечной и конечной длины с круглым и квадратным сечениями. Для образцов бесконечной длины с круглым и квадратным сечениями в случае равенства площадей поперечных сечений угловые зависимости длин свободного пробега, нормированных на длину Казимира, почти совпадают. Показано, что анизотропия длин пробега заметно уменьшается при переходе от бесконечных образцов к образцам конечной длины. Для кристаллов кремния проанализирована анизотропия средних длин свободного пробега фононов для каждой из ветвей фононного спектра. Установлено, что длины свободного пробега для фононов каждой колебательной моды достигают максимальных значений в направлениях фокусировки, причем в этих направлениях они превосходят длины пробега для фононов остальных колебательных мод. Работа выполнена по плану РАН в рамках темы N 01. 2. 006. 13395 при поддержке программы ОФН РАН (грант N 12-Т-2-1018), гранта "Династия", а также гранта ведущей научной школы НШ-6172.2012.2.
- D.G. Cahill, W. K. Ford, K.E. Goodson, G.D. Mahan, A. Majumdar, H.J. Maris, R. Merlin, S.R. Phillpot. J. Appl. Phys. 93, 793 (2003)
- A.D. McConnell, K.E. Goodson. Ann. Rev. Heat Transfer 14, 128 (2005)
- H.B.G. Casimir. Physica (Amsterdam) 5, 595 (1938)
- R. Berman, F.E. Simon, J.M. Ziman. Proc. R. Soc. Lond. A 220, 171 (1953)
- R. Berman, E.L. Foster, J.M. Ziman. Proc. R. Soc. Lond. A 231, 130 (1955)
- A.K. McCurdy, H.J. Maris, C. Elbaum. Phys. Rev. B 2, 4077 (1970)
- J.P. Harrison, J.P. Pendrys. Phys. Rev. B 7, 3902 (1973)
- M.N. Wybourne, C.G. Eddison, M.J. Kelly. J. Phys. C 17, L607 (1984); C.G. Eddison, M.N. Wybourne. J. Phys. C 18, 5225 (1985)
- Z. Wang, N. Mingo. Appl. Phys. Lett. 99, 101 903 (2011)
- A.K. McCurdy. Phys. Rev. B 26, 6971 (1982)
- И.Г. Кулеев. ФТТ 42, 979 (2000); ФТТ 44, 215 (2002)
- И.Г. Кулеев, И.И. Кулеев. ФТТ 49, 422 (2007)
- I.G. Kuleyev, I.I. Kuleyev, I.Yu. Arapova. J. Phys.: Cond. Matter 20, 465 201 (2008)
- J.J. Hall. Phys. Rev. 161, 756 (1967)
- P. Carruthers. Rev. Mod. Phys. 33, 92 (1961)
- Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников. Наука, М. (1972). 536 с
- Y.P. Joshi. Pramana 18, 461 (1982)
- H. Lundt, M. Kerstan, A. Huber, P.O. Hahn. Proc. of 7th Int. Symp. on silicon materials science and technology. The Electrochemical Society, Pennington. N. J. (1994). V. 94-10. P. 218
- M.P. Zaitlin, L.M. Scherr, A.C. Anderson. Phys. Rev. B 12, 4487 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
