Вышедшие номера
Влияние точечных дефектов на фазовые переходы в сегнетоэлектрических нанокристаллах
Нечаев В.Н.1, Висковатых А.В.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
Email: kafedra@vmfmm.vorstu.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Получены зависимости температуры фазового перехода сегнетоэлектрических нанокристаллов в матрице диэлектрика от концентрации в них точечных заряженных дефектов. Исследовано влияние точечных дефектов на нелинейные характеристики сегнетоэлектрических нанокристаллов в зависимости от величины и направления внешнего электрического поля при точном учете деполяризующих электрических полей и нелокальных эффектов.