Вышедшие номера
Эволюция доменных процессов при переходе от классического сегнетоэлектрика к сегнетоэлектрику-релаксору
Таланов М.В.1, Шилкина Л.А.1, Резниченко Л.А.1
1Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
Email: tmikle-man@mail.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Исследованы зависимости относительной диэлектрической проницаемости от величины внешнего смещающего электрического поля керамик системы yPZN-mPMN-nPNN-xPT (x=0.25-0.40). Показана эволюция доменных процессов при концентрационном переходе от классического сегнетоэлектрика к сегнетоэлектрику-релаксору. Сделаны предположительные выводы о механизмах протекания индуцированных электрическим полем переходов из релаксорного в "нормальное" сегнетоэлектрическое состояние.
  1. A.A. Bokov, Z.-G. Ye. J. Mater. Sci. 41, 31 (2006)
  2. P.N. Timonin. Ferroelectrics 199, 69 (1997)
  3. G.A. Smolenskii. J. Phys. Soc. Jpn. 28 (Supl.), 26 (1970)
  4. V. Westphal, W. Kleemann, M.D. Glinchuk. Phys. Rev. Lett. 68, 847 (1992)
  5. Z.-G. Ye. Ferroelectrics 140, 319 (1993)
  6. E.V. Colla, N.K. Yushin, D. Vieland. J. Appl. Phys. 83, 3298 (1998)
  7. М.В Таланов, И.А. Вербенко, А.И. Миллер, Л.А. Шилкина, Л.А. Резниченко. В сб.: Порядок, беспорядок и свойства оксидов (ODPO-13) 2, 152 (2010)
  8. M.E. Drougard, D.R. Young. Phys. Rev. 94, 1561 (1954)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.