Вышедшие номера
Доменная структура в сегнетоферромагнитных пленках
Аль Рифаи C.А.1, Даринский Б.М.1, Лазарев А.П.2, Сигов А.С.3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2ООО "Росбиоквант", Воронеж, Россия
3Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
Email: me144@phys.vsu.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Рассмотрены условия фазового перехода в сегнетомагнитную фазу в пленках сегнетоферромагнетиков по механизму потери устойчивости исходного однородного состояния. Определены геометрия доменной структуры и температура перехода в неоднородное состояние. Установлено условие фазового перехода в сегнетомагнитную фазу, определяемое соотношением между температурно-зависимыми коэффициентами разложения термодинамического потенциала в ряд по компонентам векторов поляризации и намагниченности. Исследовано влияние свободных носителей заряда на геометрию доменной структуры и температуру перехода. Обсуждается возможность реализации монодоменного состояния. Определено значение диэлектрической проницаемости полидоменного образца. Указано на возможность использования изучаемого материала для неразрушающей записи и считывания информации. Работа выполнена при поддержке ФЦП, ГК N 16.513.11.3014 от 8.04.2011 г.
  1. Физика сегнетоэлектрических явлений / Под ред. Г.А. Смоленского. Наука, Л. (1985). 395 с
  2. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред. ФИЗМАТЛИТ, М. (2003). 651 с
  3. Б.М. Даринский, А.П. Лазарев, А.С. Сидоркин. Кристаллография. 36, 757 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.