Вышедшие номера
Регулярные доменные структуры, созданные электронным лучом в стехиометрических кристаллах LiNbO3
Коханчик Л.С.1, Палатников M.Н.2, Щербина О.Б.2
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты, Россия
Email: mlk@iptm.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Осуществлена электронно-лучевая запись регулярных доменных структур в Z-срезах кристаллов LiNbO3 толщиной 0.75 mm стехиометрического и близкого к стехиометрическому составов. Кристаллы выращены методом Чохральского из расплава с избытком Li2O (58.6 mol.%) и из расплава конгруэнтного состава в присутствии 6 wt.% щелочного растворителя (флюса) - K2O. В обоих кристаллах определены пороговые дозы зарядa, необходимые для формирования индивидуальных доменов, и найдены оптимальные условия рисования периодических структур путем последовательных локальных облучений. Доменные решетки похожего типа (периоды 6.5; 7 и 10 mum) сформированы в обоих типах стехиометрических кристаллов. Работа частично поддержана РФФИ (гранты © 09-02-00609а и 09-03-00141а).