Вышедшие номера
Токи утечки в тонких сегнетоэлектрических пленках
Подгорный Ю.В.1, Воротилов К.А.1, Сигов А.С.1
1Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Исследованы основные механизмы составляющих тока утечки тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС), сформированных золь-гель-методом. Определены характерные области вольт-амперных характеристик, в которых действуют различные механизмы переноса зарядов. Показано, что существует переходная область, разделяющая области, в одной из которых при низких напряжениях ток утечки зависит от свойств контакта электродов с пленкой ЦТС, а в другой ток утечки определяется собственными свойствами объема пленки ЦТС, а основным механизмом переноса зарядов является эмиссия Пула-Френкеля. В переходной области имеет место скачкообразное изменение тока, обусловленное релаксирующим пробоем барьера Шоттки. Определены временные зависимости токов утечки, при этом если до пробоя барьера Шоттки ток утечки уменьшается с увеличением времени задержки, то после пробоя характер этой зависимости изменяется на противоположный.
  1. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Т. 1. 456 с
  2. H.-M. Chen, S.-W. Tsaur, J.Y.-M. Lee. Jpn. J. Appl. Phys. 37, 4056 (1998)
  3. Ю.В. Подгорный, Д.С. Серегин, К.А. Воротилов. Материалы VII Междунар. НТК "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения". Энергоатомиздат, М. (2010). Ч. I. C. 145
  4. L. Pintilie, M. Alexe. J. Appl. Phys. 98, 124 103 (2005)
  5. L. Pintilie, l. Vrejoiu, D. Hesse, M. Alexe. J. Appl. Phys. 104, 114 101 (2008)
  6. A.K. Tagantsev, G. Gerra. J. Appl. Phys. 100, 051 607 (2006)
  7. H. Hu, S.B. Krupanidhi. Mater. Res. Soc. 9, 1484 (1994)
  8. R. Waser, M. Klee. Integr. Ferroelectrics 2, 257 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.