Одноосная деформация, изменяя волновые функции и энергии подуровней акцепторов, приводит к существенному изменению поляризации горячей фотолюминесценции в полупроводниках. Рассчитаны поляризационные характеристики фотолюминесценции, обусловленной рекомбинацией горячих и термализованных электронов с дырками, связанными на мелких акцепторах, при одновременном воздействии внешнего магнитного поля и одноосной деформации. Показано, что сравнение результатов теории с экспериментами позволит уточнить ряд параметров примесей в кристаллах. Работа частично поддержана проектами РФФИ, Министерством образования и науки РФ: договором 11.G34.0001 с СПбГПУ и ведущим ученым Г.Г. Павловым, контрактом N 14.740.11.0892 и грантом Президента РФ НШ-5442.2012.2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.