С помощью численного моделирования на основе феноменологической теории сегнетоэлектричества и уравнений электростатики в рамках итерационного метода Гаусса-Зайделя изучена доменная структура в слое двухосного сегнетоэлектрика, перфорированного цилиндрическими каналами. Обе полярные оси лежат в плоскости пленки, что характерно для тонких эпитаксиальных пленок BaTiO₃ и (Ba_1-xSr_x)TiO₃ на подложке МgO. В расчетах используются параметры BaTiO₃, что не имеет принципиального значения ввиду сугубо качественного характера результатов: электростатическая задача считается двумерной и формально относится к бесконечно толстым, а не к тонким слоям. Основное внимание уделяется системам, содержащим шестнадцать каналов. Рассмотрены две различные ориентации полярных осей относительно решетки каналов. Показано, что характер доменной структуры для этих ориентаций различается: когда линия с минимальным расстоянием между каналами перпендикулярна биссектрисе угла между полярными осями, эта структура содержит один канал в повторяющемся мотиве и вихрь поляризации; когда одна из полярных осей перпендикулярна линии с минимальным расстоянием между каналами, ситуация менее ясна. Имеются указания на то, что повторяющийся мотив доменной структуры в системе очень многих каналов содержит два канала и не содержит вихрей. Отмечено сильное влияние электродов на доменную структуру в этом случае. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований и Министерством образования и науки (программы "Научно-педагогические кадры инновационной России" и "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 гг.": Центр коллективного пользования "УНО Электроника").

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.