Вышедшие номера
Расчет зонной структуры и оптических свойств кристаллов ГАСГ
Андриевский Б.В.1, Романюк Н.А.2, Романюк Н.Н.3, Мищишин О.Я.4, Яскульский М.1, Стадник В.И.2
1Кошалинский технологический университет, Кошалин, Польша
2Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
3Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
4Львовская государственная финансовая академия, Львов, Украина
Email: bohdan.andrievskyy@tu.koszalin.pl
Поступила в редакцию: 22 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

В рамках теории функционала электронной плотности установлено генетическое происхождение и рассчитаны спектральные зависимости плотности электронных состояний, энергия электронов и оптические функции varepsilon1(homega) и varepsilon2(homega) сегнетоэлектрического кристалла гуанидин алюминий сульфата гексагидрата. Установлена слабая зависимость энергии электронов верхних валентных зон от волнового вектора, рассчитаны ширина запрещенной зоны (Eg~ 5.44 eV) и показатели преломления, согласующиеся с экспериментальными результатами. Установлена сильная анизотропия спектральной полосы varepsilon2(homega) в области 6 eV, которая формируется главным образом p-состояниями углерода (~ 60%) и азота (~ 40%) из группы C(NH2)3.