Вышедшие номера
Влияние ионизирующего излучения на диэлектрические характеристики монокристаллов TlInS2 и TlGaS2
Шелег А.У.1, Гуртовой В.Г.1, Шевцова В.В.1, Мустафаева С.Н.2, Керимова Э.М.2
1НПЦ НАН Белоруссии по материаловедению, Минск, Белоруссия
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: hurtavy@physics.by
Поступила в редакцию: 30 января 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Исследованы зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности монокристаллов TlInS2 и TlGaS2 от температуры и дозы облучения электронным пучком. Установлено, что облучение электронами с ростом дозы приводит к значительному увеличению значений удельной электропроводности sigma и уменьшению диэлектрической проницаемости varepsilon во всей исследованной области температур (80-320 K). Показано, что на температурных зависимостях sigma=f(T) и varepsilon=f(T) в областях характерных для TlInS2 фазовых переходов наблюдаются аномалии в виде максимумов. Облучение кристаллов TlInS2 и TlGaS2 электронами дозой 1015 и 1016 cm-2 не приводит к изменению температур фазовых переходов в них. Построены дисперсионные кривые диэлектрической проницаемости varepsilon кристалла TlGaS2.