Вышедшие номера
Механизм переноса тока в диодах с барьером Шоттки на основе крупноблочных пленок CdTe
Мирсагатов Ш.А.1, Утениязов А.К.2, Ачилов А.С.1
1Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
Email: mirsagatov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 29 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Показаны возможности создания барьера Шоттки на Al-p-CdTe-структурах с минимальной плотностью поверхностных состояний, что подтверждено измерениями высоты потенциального барьера вольт-фарадными и фотоэлектрическими методами. Установлено, что при различных напряжениях прямых смещений реализуются различные экспоненциальные зависимости тока от напряжения, которые связаны с изменением кинетических параметров базы Al-p-CdTe-Mo-структуры. Показано, что Al-p-CdTe-Mo-структура при прямом направлении тока, высоких уровнях освещения выступает в качестве инжекционного фотодиода. Такой инжекционный фотодиод обладает высокой токовой чувствительностью. При включении тока в обратном направлении после полного охвата базы структуры объемным зарядом из тылового контакта инжектируются электроны, которые определяют механизм переноса тока и шумовые характеристики структуры. Работа выполнена в рамках гранта "ФА-Ф032" Фонда фундаментальных исследований АН Узбекистана.
  1. T. Takahashi, S. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci. 48, 950 (2001)
  2. S. Watanabe, T. Takahashi, Y. Okada, G. Sato, M. Kouda, T. Mitani, Y.Kabayashi, K. Nakazawa, Y. Kuroda, M. Onishi. IEEE Trans. Nucl. Sci. 49, 210 (2002)
  3. T. Tanaka, T. Kabayashi, T. Mitani, K. Nakazawa, K. Oonuki, G. Sato, T. Takahashi, S .Watanabe. New Astronomy Rev. 48, 309 (2004)
  4. Л.А. Косяченко, В.М. Склярчук, О.Л. Маслянчук, Е.В. Грушко, В.А. Гнатюк, Y. Hatanaka. Письма в ЖТФ 32, 24, 29 (2006)
  5. H. Hermon, M. Shieber, R.B. James. J. of Electron Mater. 28, 688 ( 1999)
  6. Поликристаллические полупроводники / Под ред. Г. Харбеке. Мир, М. ( 1989). 341 с
  7. Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорган. материалы 41, 8, 915 (2005)
  8. L.W. Davies. Proc. IEEE 51, 1637 (1963)
  9. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: теория и эксперименты. Энергоатомиздат, М. (1987). 278 с
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Т. 1. 455 с
  11. Физика и химия полупроводников. А-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- / Под ред. С.А. Медведева, МИР, М. (1970). 624 с
  12. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. Мир, М. (1975). 432 с
  13. В.Г. Георгиу. Вольт-фарадные измерения параметров полупроводников. Штиинца, Кишинев (1987). 64 с
  14. Ш.А. Мирсагатов, О.К. Атабоев. Материалы конф. "Фундаментальные и прикладные вопросы физики". Ташкент (2010). C. 226
  15. И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов. Сов. радио, М. (1980). 296 с
  16. А.Ю. Лейдерман, М.К. Минбаева. ФТП 30, 1729 (1996)
  17. М.Г. Шейнкман, Н.Е. Корсунская. В кн: Физика соединений А-=SUB=-2-=/SUB=-В-=SUB=-6-=/SUB=- / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. Наука, М. (1986).109 с
  18. K. Zanio. Semiconductors and semimals. Acad. Press, N. Y. (1978). 210 p
  19. А. Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. Сов. радио, М. (1970). 392 с
  20. В.И. Стафеев. ЖТФ 28 8, 1631 (1958)
  21. W. Shockley, W. Read. Phys. Rev. 87, 835 (1952)
  22. Ш.А. Мирсагатов, Б.У. Айтбаев, В. Рубинов. ФТП 30, 550 (1996)
  23. Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музвфарова, М.С. Баиев, А.С. Ачилов. Узб. физ. журн. 12, 3, 154 (2010)
  24. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М.(1973). 210 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.