Исследованы электронные и оптоэлектронные свойства полевых транзисторных структур с активным слоем на основе композитных пленок полупроводникового полимера - поливинилкарбазола (PVK) - с наночастицами никеля. Показано, что в таких структурах при небольших концентрациях никеля (5-10 wt.%) наблюдаются вольт-амперные характеристики, свидетельствующие об амбиполярном транспорте. Значения подвижности для полевых транзисторных структур на основе пленок PVK : Ni (Ni~ 5 wt.%) составили ~ 1.3 и ~ 1.9 cm²/V·s для электронов и дырок соответственно. Установлено, что фоточувствительность, наблюдаемая в таких структурах, связана с особенностями транспорта в пленке полимер-наночастицы никеля, механизм которого определяется модуляцией проводимости рабочего канала полевого транзистора падающим светом и напряжением на затворе. Работа выполнена при поддержке программы фундаментальных исследований президиума РАН П-8 (направление "Полифункциональные материалы для молекулярной электроники") и гранта РФФИ N 11-02-00451-а.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.