Вышедшие номера
Влияние состава на электрические свойства низкотемпературных ионных проводников в системе Cu1-xAgxGeAsSe3
Хейфец О.Л.1, Мельникова Н.В.1, Филиппов А.Л.1, Шакиров Э.Ф.1, Бабушкин А.Н.1, Нугаева Л.Л.1
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: Olga.kobeleva@usu.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

Синтезированы и исследованы электрические свойства халькогенидов Cu1-xAgxGeAsSe3 (x=0.5, 0.8, 0.9) при низких температурах. Соединения такого типа являются электронно-ионными проводниками со смешанным характером проводимости. Показано, что замена части атомов серебра в соединении AgGeAsSe3 на атомы меди приводит к уменьшению полной проводимости, снижению доли ионной составляющей проводимости, значительному увеличению времен поляризации, повышению температуры начала заметного (по сравнению с электронным) вклада ионного переноса, понижению энергии активации носителей. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 гг. и гранта РФФИ N 10-02-96036.