Вышедшие номера
Энтальпия образования дефектов Шоттки в полупроводниках
Горичок И.В.1
1Прикарпатский национальный университет им. В. Стефаника, Ивано-Франковск, Украина
Email: goritchok@rambler.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Проведен расчет энтальпии образования дефектов Шотки в кристаллах соединений A2B6, A3B5 и A4B6. Для этого применен метод, основанный на использовании потенциалов парного взаимодействия Ми-Ленарда-Джонса, параметры которого определены на основе экспериментальных данных о температуре Дебая, параметре Грюнайзена, коэффициенте Пуассона, упругих постоянных и модуле всестороннего сжатия. Полученные значения энтальпии образования согласуются с известными литературными данными и могут быть использованы для расчета концентраций этих дефектов в кристаллах.
  1. М.Н. Магомедов. ФТТ 34, 3718 (1992)
  2. М.Н. Магомедов. ФТТ 34, 3724 (1992)
  3. М.Н. Магомедов. ЖФХ 63, 2943 (1989)
  4. М.Н. Магомедов. ЖФХ 61, 1003 (1987)
  5. Д.М. Фреiк, В.В. Прокопiв, М.О. Галущак, М.В. Пиц, Г.Д. Матеiк. Кристалохiмiя i термодинамiка атомних дефектiв у сполуках A4B6. Плай, Iвано-Франкiвськ (1999). 164 с
  6. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. Мир, M. (1983). 381 c
  7. Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение / Под. ред. В.Г. Средина. Воениздат, М. (1982). 208 с
  8. Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. Наука, М. (1967). 176 с
  9. К.В. Шалимова. Физика полупроводников. Энергоатомиздат, М. (1985). 392 с
  10. В.П. Михальченко. ФТТ 45, 429 (2003)
  11. Ю.Х. Векилов, А.П. Русаков. ФТТ 13, 1157 (1971)
  12. Y. Zhang. X. Ke, C. Chen, J. Yang, P.R.C. Kent. Phys. Rev. B 80, 024 304 (2009)
  13. Л.А. Сергеева. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 16, 1346 (1980)
  14. В.И. Соколов, Н.Б. Груздев, И.А. Фарина. ФТТ 45, 1560 (2003)
  15. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
  16. В.И. Соколов, Н.Б. Груздев, Е.А. Широков, А.Н. Кислов. ФТТ 44, 33 (2002)
  17. Н.В. Лугуева, С.М. Лугуев. Химия и компьютерное моделирование. Бутлеровские сообщения (приложение к спецвыпуску) 10, 200 (2002)
  18. В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, В.П. Маслов, С.Б. Михрин, Б.Е. Саморуков. ФТП 37, 943 (2003)
  19. В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников. Высш. шк., М. (1984). 352 с
  20. Л.Е. Шелимова. Изв. АН СССР Неорган. материалы 24, 1597 (1988)
  21. Н.В. Лугуева, С.М. Лугуев. ФТТ 44, 251 (2002)
  22. I.В. Горiчок. Фiзiкa i хiмiя твердого тiла 12, 322 (2011)
  23. S.-H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B 66, 155 211 (2002)
  24. M.A. Berding. Phys. Rev. 60, 8943 (1999)
  25. В.И. Байков, Э.И. Исаев, П.А. Коржавый, Ю.Х. Векилов, И.А. Абрикосов. ФТТ 47, 1762 (2005)
  26. K. Hoang, S.D. Mahanti, P. Jena. Phys. Rev. B 76, 115 432 (2007)
  27. В.В. Прокопiв, I.В. Горiчок. Фiзiка i хiмiя твердого тiла. 7, 717 (2006)
  28. В.Н. Чеботин. Физическая химия твердого тела. Химия, М. (1982). 120 с
  29. М.Н. Магомедов. ЖТФ 80, 9, 150 (2010)
  30. М.Н. Магомедов. ФТТ 45, 33 (2003)
  31. М.Н. Магомедов. ФТП 42, 1153 (2008)
  32. М.Н. Магомедов. Письма в ЖТФ 27, 18, 36 (2001)
  33. Д.С. Сандитов, В.В. Мантанов, М.В. Дармаев, Б.Д. Сандитов. ЖТФ 79, 3, 59 (2009)
  34. I. Болеста. Фiзiка твердого тiла. Видавн. центр ЛНУ iм. I. Франка, Львiв (2003). 480 с
  35. А. Сакалас, З. Янушкявичюс. Точечные дефекты в полупроводниковых соединениях. Мокслас, Вильнюс (1988). 153 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.