Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Магнитомеханический эффект в приповерхностных слоях кремния Cz-Si
1УНЦ "Физико-химическое материаловедение" Киевского национального университета им. Т. Шевченко и НАН Украины, Киев, Украина
2Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
2Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
Email: aid@icp.ac.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.
Обнаружено изменение механических свойств приповерхностных слоев кристаллов кремния, выращенных методом Чохральского Cz-n-Si(111), под действием постоянного магнитного поля (B~ 0.1 Т). Магнитостимулированное изменение микротвердости, модуля Юнга, коэффициента пластичности кристаллов кремния коррелирует с изменением параметра кристаллической решетки и внутренних напряжений. Главную роль в магнитомеханическом эффекте играет рост оксидной пленки под действием магнитного поля за счет уменьшения концентрации кислородных комплексов в приповерхностных слоях образца. В микроструктурированном кремнии, где поверхность значительно более развита, магнитное поле вызывает более глубокие изменения внутренних напряжений, чем в монокристаллах. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 10-03-00314-а).
- V.I. Alshits, E.V. Darinskaya, M.V. Koldaeva, E.A. Petrzhik. In: Dislocations in solids / Ed. J.P. Hirth. Elsevier, Amsterdam (2008). V. 14. Ch. 86. P. 333
- M. Badylevich, Yu. Iunin, V. Kveder, V. Orlov, Yu. Ossipyan. Solid State Phenomena 95--96, 433 (2004)
- O. Koplak, A. Dmitriev, T. Kakeshita, R. Morgunov. J. Appl. Phys. 110, 044 905 (2011)
- I. Yonenaga, K. Takahashi. J. Appl. Phys. 101, 053 528 (2007)
- А.А. Скворцов, А.В. Каризин. ЖЭТФ 140, 1 (2011)
- Р.Б. Моргунов, А.Л. Бучаченко. ЖЭТФ 136, 505 (2009)
- R.B. Morgunov, A.L. Buchachenko. Phys. Rev. В 82, 014 115 (2010)
- L.C. Ciacchi, M.C. Payne. PRL 95, 196 101 (2005)
- K. Kato, T. Uda. Phys. Rev. B 62, 15 978 (2000)
- Y. Miyamoto, A. Oshiyama. Phys. Rev. B 41, 12 680 (1990)
- J. Lambers, P. Hessa. J. Appl. Phys. 94, 2937 (2003)
- J.R. Engstrom, D.J. Bonser, T. Engel. Surf. Sci. 268, 238 (1992)
- T. Akiyama, H. Kageshima. Appl. Surf. Sci. 216, 270 (2003)
- О. Коплак. Спин-зависимые реакции на поверхности кремния. LAP Lambert Academic Publishing, Saarbrucken (2011). 176 c
- D.A. Shirley. Phys. Rev. B 5, 4709 (1972)
- Stoe WinXPOW, version 2.21, Stoe \& Cie GmbH, Darmstadt http://www.stoe.com/pages/brochure/winxpow\_brochure.pdf
- W. Kraus, G. Nolze. J. Appl. Cryst. 29, 301 (1996)
- J. Rodriguez-Carvajal. Newsletter 26, 12 (2001)
- T. Roisne, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum 378-- 381, 118 (2001)
- M.P. Seah. Surf. Interface Anal. 37, 300 (2005)
- W.C. Oliver, G.M. Pharr. J. Mater. Res. 7, 1564 (1992)
- W.C. Oliver, G.M. Pharr. J. Mater. Res. 19, 3 (2004)
- W.C. O`Mara, R.B. Herring, L.P. Hunt. Handbook of semiconductor silicon technology. Noyes Publications, N. J. (1990). 780 p
- M. Suezawa, Y. Yamamoto, M. Suemitsu, N. Usami, I. Yonenaga. Appl. Phys. Lett. 93, 101 904 (2008)
- M. Suezawa, Y. Yamamoto, M. Suemitsu, I. Yonenaga. Physica B 404, 5156 (2009)
- A. Bongiorno, A. Pasquarello. Phys. Rev. Lett. 93, 086 102 (2004)
- B.E. Deal, A.S. Grove. J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965)
- В. Макара, М. Васильев, Л. Стебленко, О. Коплак, А. Курилюк, Ю. Кобзарь, С. Науменко. ФТП 42, 1061 (2008)
- W. Orellana, A.J.R. da Silva, A. Fazzio. Phys. Rev. Lett. 87, 155 901 (2001).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
