Вышедшие номера
Механизм переноса заряда в интеркалированных соединениях CuxHfSe2
Плещев В.Г.1, Баранов Н.В.1,2, Мельникова Н.В.1, Селезнева Н.В.1
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: Valery.Pleschov@usu.ru
Поступила в редакцию: 11 января 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Впервые на интеркалированных образцах CuxHfSe2 (0=<q x=<q0.18) наряду с измерениями электросопротивления на постоянном токе проведены измерения на переменном токе с использованием методики импедансной спектроскопии. Полученные результаты указывают, что перенос заряда в соединениях CuxHfSe2 происходит по прыжковому механизму. Обнаружено, что увеличение содержания меди в образцах приводит к ускорению релаксационных процессов. Проводимость на переменном токе испытывает частотную дисперсию, которая описывается универсальным динамическим откликом. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект N 12-02-00778-а).
  1. M. Inoue, H.P. Hughes, A.D. Yoffe. Adv. Phys. 38, 565 (1989)
  2. Th. Pillo, J. Hayoz, H. Berger, F. Levy, L. Schlapbach, P. Aebi. Phys. Rev. B 61, 16 213 (2000)
  3. D.L. Greenaway, R. Nitsche. J. Phys. Chem. Solids 26, 9, 1445 (1965)
  4. C. Gaiser, T. Zandt, A. Krapf, R. Serverin, C. Janowitz, R. Manzke. Phys. Rev. B 69, 075 205 (2004)
  5. I. Taguchi. J. Phys. C 14, 3221 (1981)
  6. N.V. Baranov, V.G. Pleshchev, N.V. Selezneva, E.M. Sherokalova, A.V. Korolev, V.A. Kazantsev, A.V. Proshkin. J. Phys.: Cond. Matter 21, 506 002 (2009)
  7. Н.В. Селезнева, Автореф. канд. дис. Уральский федеральный университет, Екатеринбург (2011). 18 с
  8. N.V. Baranov, K. Inoue, V.I. Maksimov, A.S. Ovchinnikov, V.G. Pleschov, A. Podlesnyak, A.N. Titov, N.V. Toporova. J. Phys.: Cond. Matter 16, 9243 (2004)
  9. Y. Tazuke, K. Kuwazawa, Y. Onishi, T. Hashimoto. J. Phys. Soc. Jpn. 60, 2534 (1991)
  10. А.А. Титов, А.И. Меренцов, А.Е. Карькин, А.Н. Титов, В.В. Федоренко. ФТТ, 51, 217 (2009)
  11. В.Г. Плещев, Н.В. Селезнева, Н.В. Баранов. ФТТ, 54, 673 (2012)
  12. A.H. Reshak. J. Phys. Chem. A 113, 1635 (2009)
  13. M. Sasaki, A. Ohnishi, T. Kikuchi, M. Kitaura, K. Shimada, H.-J. Kim. J. Low Temp. Phys. 161, 375 (2010)
  14. F.J. Di Salvo, J.A. Wilson, J.V. Warszczak. Phys. Rev. Lett. 36, 885 (1976)
  15. В.Г. Плещев, Н.В. Баранов. Д.А. Шишкин, А.В. Королев, А.Д. Горлов. ФТТ, 53, 1950 (2011)
  16. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). Т. 1. 368 с
  17. Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук. Основы импедансной спектроскопии композитов. Изд-во БГУ, Минск (2005). 150 с
  18. Ю.М. Поплавко, Л.П. Переверзева, И.П. Раевский. Физика активных диэлектриков. Изд-во ЮФУ, Ростов н/Д (2009). 480 с
  19. Impedance spectroscopy: theory, experiment and applications / Eds E. Barsoukov, J.R. Macdonald. John Wiley \& Sons Inc., N.J. (2005), 595 p
  20. P. Lunkenheimer, A. Loidl. Phys. Rev. Lett. 91, 207 601 (2003)
  21. A.S. Nowick, A.V. Vaysleyb, I. Kuskovsky. Phys. Rev. B 58, 8398 (1998)
  22. S. Kallel, A. Nasri, N. Kallel, H. Rahmouni, O. Pena, K. Khirouni, M. Oumezzine. Physica B 406, 2172 (2011)
  23. А.И. Артамкин, А.А. Добровольский, А.А. Винокуров, В.П. Зломанов, С.Ю. Гаврилкин, О.М. Иваненко, К.В. Мицен, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП 44, 1591 (2010)
  24. W. Li, R.W. Schwartz. Appl. Phys. Lett. 89, 242 906 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.