Рассмотрен механизм сегнетоэлектрической неустойчивости, основанный на том, что состояние с поляризацией внутри элементарной ячейки и ненулевым постоянным электрическим полем внутри конденсатора с образцом может иметь более низкую энергию, чем состояние без поляризации и поля. Показано, что учет кулоновского взаимодействия между наведенными зарядами в образце приводит к появлению конечного скачка поляризации при переходе, т. е. к изменению рода перехода со 2-го на 1-й. Ключевые слова: сегнетоэлектрическая неустойчивость, кулоновское взаимодействие, поляризация, фазовые переходы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.