Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инженерия интерфейса в сегнетоэлектрических структурах PZT-проводник (Pt, Ru, LaNiO3)
The Ministry of Education and Science of the Russian Federation, State assignment, project FSFZ-2026-0003
NRC “Kurchatov Institute”, State assignment
Сайланкин К.К.
1, Жигалина О.М.
2,3, Серегин Д.С.
1, Хмеленин Д.Н.
2, Басу В.Г.
2, Зайцева Н.В.4, Делимова Л.А.
4, Воротилов К.А.
1, Сигов А.С.
1
1МИРЭА - Российский технологический университет (РТУ МИРЭА), Москва, Россия
2Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники НИЦ " Курчатовский институт", Москва, Россия
3Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники НИЦ " Курчатовский институт", Москва, Россия
3Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Saylankin@mirea.ru, olga_zhigalina@mail.ru, d_seregin@mirea.ru, dirq@rambler.ru, v.zhigalina@ns.crys.ras.ru, ladel@mail.ioffe.ru, vorotilov@mirea.ru, sigov@mirea.ru
Поступила в редакцию: 4 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 8 июня 2026 г.
Принята к печати: 9 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2026 г.
Тонкие сегнетоэлектрические пленки являются ключевым элементом многих типов устройств приема, хранения и обработки информации. В работе исследованы механизмы влияния интерфейса пленки PZT морфотропного состава и металлического (Pt) или оксидного (RuO2, LaNiO3) электрода на структурные и основные электрические параметры пленок. Показано, что механические напряжения, вызванные окислением Ru, вызывают формирование структуры с аномально высокой диэлектрической проницаемостью. Формирование пленки PZT на псевдокубически изоморфном электроде LaNiO3, замедляет кинетику переключения и снижает диэлектрический отклик вследствие пиннинга части подвижных доменных стенок. Ключевые слова: сегнетоэлектрическая тонкая пленка, цирконат-титанат свинца, граница раздела, рутений, никелат лантана.
- К.А. Воротилов, А.С. Сигов. ФТТ 54, 5, 843 (2012)
- P. Muralt. Polar oxide thin films for MEMS applications. In: Chemical Solution Deposition of Functional Oxide Thin Films // Eds. T. Schneller, R. Waser, M. Kosec, D. Payne. Springer-Verlag, Wien (2013). 796 p
- В.И. Мусатов, Ф.А. Федулов, Д.В. Савельев, Е.В. Болотина, Л.Ю. Фетисов. RTJ 11, 5, 63 (2023)
- P. Muralt. J. Micromech. Microeng. 10, 136 (2000)
- J. Ruan, C. Yin, T. Zhang, H. Pan. Front. Mater. 8, 732186 (2021)
- Y. Hao, T. Li, X. Hong. Chem. Commun. 61, 4924 (2025)
- W.L. Warren, D. Dimos, R.M. Waser. MRS Bull. 21, 40 (1996)
- J.F. Scott. Ferroelectric Memories. Springer, Berlin, NY (2000)
- Y.V. Podgorny, A.N. Antonovich, A.A. Petrushin, A.S. Sigov, K.A. Vorotilov. J. Electroceram. 49, 15 (2022)
- R. Ramesh, B. Dutta, T.S. Ravi, J. Lee, T. Sands, V.G. Keramidas. Appl. Phys. Lett. 64, 1588 (1994)
- A.V. Atanova, D.S. Seregin, O.M. Zhigalina, D.N. Khmelenin, G.A. Orlov, D.I. Turkina, A.S. Sigov, K.A. Vorotilov. Molecules 28, 1938 (2023)
- H.J. Nam, D.K. Choi, W.J. Lee. Thin Solid Films 371, 264 (2000)
- A.I. Khan, P. Yu, M. Trassin, M.J. Lee, L. You, S. Salahuddin. Appl. Phys. Lett. 105, 022904 (2014)
- M. Al-Mamun, A. Chakraborty, Y. Li, M.K. Orlowski. ECS Trans. 97, 133 (2020)
- Y. Tang, B. Zhu, F. Wang, D. Sun, Z. Hu, X. Qin, W. Shi. Appl. Surf. Sci. 371, 160 (2016)
- J.-H. Park, S.H. Yoon, D. Shen, S.-Y. Choe,Y.S. Yoon, M. Park, D.-J. Kim. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 20, 4, 366 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
