Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2026, выпуск 5 » Статья стр. 754
<<<>>>
Исследование локальных токов в композитной пленке PZT:TiOx методом контактной АСМ
Делимова Л.А.1, Гущина Е.В.1, Якушев В.А.2, Серегин Д.С.2, Воротилов К.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2МИРЭА --- Российский технологический университет (РТУ МИРЭА), Москва, Россия
Email: maitoladel@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 апреля 2026 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2026 г.
Принята к печати: 20 апреля 2026 г.
Выставление онлайн: 27 июня 2026 г.
PDF версия
С целью выявления механизмов наблюдаемого мемристорного эффекта, методом контактной атомно-силовой микроскопии проведено исследование зависимостей локального тока от величины и направления приложенного напряжения в композитных сегнетоэлектрических тонких пленках PZT с трехмерной системой каналов диаметром ~ 10-35 nm, заполненных оксидом титана TiOx. Установлено, что в отличие от пористых пленок PZT, транспорт носителей заряда в композитной структуре осуществляется по наноразмерным каналам TiOx и зависит от направления электрического поля. Существенную роль в возникновении мемристорного эффекта играет наличие тонкой пленки TiOx на поверхности структуры. Ключевые слова: сегнетоэлектрическая композитная пленка, диоксид титана, локальные токи, резистивное переключение сопротивления.
  1. Г.В. Петушков, А.С. Сигов. Российский Технологический Журнал 13, 1, 49 (2025).  https://doi.org/10.32362/2500-316X-2025-13-1-49-58
  2. R. Waser, M. Aono. Nature Mater. 6, 11, 833 (2007). https://doi.org/10.1038/nmat2023
  3. H.-S.P. Wong, H.-Y. Lee, S. Yu, Y.-S. Chen, Y. Wu, P.-S. Chen, B. Lee, F.T. Chen, M.-J. Tsai. Proceedings of the IEEE 100, 6, 1951 (2012). https://doi.org/10.1109/JPROC.2012.2190369
  4. S.H. Jo, T. Chang, I. Ebong, B.B. Bhadviya, P. Mazumder, W. Lu. Nano Lett. 10, 4, 1297 (2010). DOI: 10.1021/nl904092h
  5. D. Ielmini. Semicond. Sci. Technol. 31, 6, 063002 (2016). https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/6/063002
  6. J.J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nature Nanotech. 8, 1, 13 (2013). https://doi.org/10.1038/nnano.2012.240
  7. A. Fantini, L. Goux, R. Degraeve, D.J. Wouters, N. Raghavan, G. Kar, A. Belmonte, Y.-Y. Chen, B. Govoreanu, M. Jurczak. Proceedings of the 5th IEEE International Memory Workshop (IMW) (2013). P. 30-33. https://doi.org/10.1109/IMW.2013.6582090
  8. S. Ambrogio, S. Balatti, A. Cubeta, A. Calderoni, N. Ramaswamy, D. Ielmini. IEEE Trans. Electron Devices 61, 8, 2912 (2014). DOI: 10.1109/TED.2014.2330200
  9. G. Niu, P. Calka, M. Auf der Maur, F. Santoni, S. Guha, M. Fraschke, P. Hamoumou, B. Gautier, E. Perez, C. Walczyk, C. Wenger, A. Di Carlo, L. Alff, T. Schroeder. Scientific Reports 2016. DOI: 10.1038/srep25757
  10. B.K. You, W.l. Park, J.M. Kim, K.-l. Park, H.K. Seo, J.Y. Lee, Y.S. Jung, K.J. Lee. ACS Nano 8, 9, 9492 (2014). DOI: 10.1021/nn503713f
  11. Z. Wang, J. Kang, Y. Fang, Z. Yu, X. Yang, Y. Cai, Y. Wang, R. Huan. " Localized metal doping effect on switching behaviors of TaOx-based RRAM device", 16th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Pittsburgh, PA, USA (2016). P. 1-3. DOI: 10.1109/NVMTS.2016.7781516
  12. X. Wu, S. Mei, M. Bosman, N. Raghavan, X. Zhang, D. Cha, K. Li, K.L. Pey. Adv. Electron. Mater. 1, 11, 1500130 (2015). https://doi.org/10.1002/aelm.201500130
  13. S. Chen, M.R. Mahmmad, Y. Shi, C. Mahata, B. Yuan, X. Liang, C. Wen, F. Hui, D. Akinwande, D.B. Strukov, M. Lanza. Nature Electronics 3, 638 (2020). DOI: 10.1038/s41928-020-00473-w
  14. D.S. Seregin, L.A. Delimova, V.A. Yakuschev, A.S. Vishnevskiy, A.V. Atanova, D.N. Khmelenin, O.M. Zhigalina, E.V. Gushchina, A.V. Ankudinov, A.S. Sigov, K.A. Vorotilov. Mater. Chem. Phys. 332, 1, 130224 (2025). https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2024.130224
  15. Л.А. Делимова, Е.В. Гущина, В.С. Юферев, Д.С. Серегин, К.А. Воротилов, А.С. Сигов. Письма в ЖTФ 51, 12, 38 (2025). https://doi.org/10.61011/PJTF.2025.12.60612.20268
  16. A.V. Atanova, O.M. Zhigalina, D.N. Khmelenin, G.A. Orlov, D.S. Seregin, A.S. Sigov, K.A. Vorotilov. J. Am. Ceram. Soc.  105, 639 (2022). DOI: 10.1111/jace.18064

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme