Вышедшие номера
Оптические свойства слоев Al-H на кремниевых подложках
Барабан А.П.1, Войт А.П.1, Габис И.Е.1, Дмитриев В.А. 1, Кузнецов В.Г.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: w.dmitriew@spbu.ru
Поступила в редакцию: 15 января 2026 г.
В окончательной редакции: 25 апреля 2026 г.
Принята к печати: 25 апреля 2026 г.
Выставление онлайн: 2 июня 2026 г.

Исследованы оптические свойства слоев Al-H на кремниевых подложках. Использовался подход, позволяющий оценить коэффициент поглощения слоя, образованного на структуре Si|SiO2, на основе спектров катодолюминесценции. Продемонстрировано качественное согласие между экспериментально полученным спектром поглощения слоев Al-H на кремниевых подложках и теоретическим спектром поглощения дефектного кристалла AlH3 с концентрацией вакансий атомов водорода 2.8 %, рассчитанным по методу функционала плотности (DFT) с B3LYP. Количественное различие в спектрах поглощения обусловлено более высокой концентрацией вакансий водорода в синтезированных слоях AlH по сравнению с теоретической моделью дефектного AlH3. Ключевые слова: алюминиево-водородные пленки, водородные вакансии, катодолюминеценция, фотолюминесценция, спектр поглощения, метод DFT.
  1. J. Graetz, J.J. Reilly, J.J. Yartys, J.P. Maehlen, B.M. Bulychev, V.E. Antonov, B.P. Tarasov, I.E. Gabis. J. Alloys. Compounds 509, Suppl. 2, S517 (2011)
  2. I. Gabis, M. Dobrotvorskiy, E. Evard, A. Voyt. J. Alloys. Compounds 509, Suppl. 2, S671 (2011)
  3. G. Sandrock, J. Reilly, J. Graetz, W-M. Zhou, J. Johnson, J. Wegrzyn. J. Alloys. Compounds 421, 1-2, 185 (2006)
  4. M.J. van Setten, V.A. Popa, G.A. de Wijs, G. Brocks. Phys. Rev. B 75, 3, 035204 (2007)
  5. A.P. Baraban, M.A. Dobrotvorskii, D.I. Elets, I.E. Gabis, V.G. Kuznetsov, V.A. Piven, A.P. Voyt, A.A. Selivanov. Thin Solid Films 709, 138217 (2020)
  6. I.E. Gabis, A.P. Baraban, V.G. Kuznetsov, D.I. Elets, M.A. Dobrotvorskii, A.P. Voyt. Int. J. Hydrogen Energy 39, 28, 15844 (2014)
  7. A.P. Baraban, V.A. Dmitriev, V.E. Drozd, V.A. Prokofiev, S.N. Samarin, E.O. Filatova. J. Appl Phys. 119, 5, 055307 (2016)
  8. А.П. Барабан, А.А. Селиванов, В.А. Дмитриев, А.В. Дрозд, В.Е. Дрозд. Письма в ЖТФ 45, 6, 13 (2019). [A.P. Baraban, A.A. Selivanov, V.A. Dmitriev, A.V. Drozd, V.E. Drozd. Tech. Phys. Lett. 45, 3, 256 (2019).]
  9. J. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 18, 3865 (1996)
  10. M.D. Segall, P.J.D. Lindan, M.J. Probert, C.J. Pickard, P.J. Hasnip, S.J. Clark, M.C. Payne. J. Phys.: Condens. Matter 14, 11, 2717 (2002)
  11. S.J. Clark, M.D. Segall, C.J. Pickard, P.J. Hasnip, M.I.J. Probert, K. Refson, M.C. Payne. Z. Krist. Cryst. Mater. 220, 5-6, 567 (2005)
  12. J.P. Perdew. Int. J. Quantum Chem. 28, 497 (2009)
  13. J.P. Perdew, A. Zunger. Phys. Rev. B 23, 10, 5048 (1981)
  14. А.В. Арбузников. Журнал структурной химии 48, 7, S5 (2007). [A.V. Arbuznikov. J. Struct. Chem. 48, Suppl. 1, S1 (2007).]
  15. A.D. Becke. J. Chem. Phys. 98, 7, 5648 (1993)
  16. А.П. Барабан, В.А. Дмитриев, Ю.В. Петров, К.А. Тимофеева. Изв. вузов. Электроника 2 (100), 71 (2013). [A.P. Baraban, V.A. Dmitriev, Yu.V. Petrov, K.A. Timofeeva. Semiconductors 47, 13, 1711 (2013).]
  17. A.P. Baraban, S.N. Samarin, V.A. Prokofiev, V.A. Dmitriev, A.A. Selivanov, Y.V. Petrov. J. Luminescence 205, 102 (2019)
  18. R.J. Needs, M.D. Towler, N.D. Drummond, P. Lopez Ri os. J. Phys.: Condens. Matter 22, 2, 023201 (2010)
  19. R.J. Needs, M.D. Towler, N.D. Drummond, P. Lopez Ri os, J.R. Trail. J. Chem. Phys. 152, 15, 154106 (2020)
  20. D. Drouin. Microscopy \& Microanalysis 12, S02, 1512 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.