Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Транспорт заряда в нитриде кремния, облученного ионами бора
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: grits@isp.nsc.ru, nov@isp.nsc.ru, aagismatulin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 20 марта 2026 г.
В окончательной редакции: 27 марта 2026 г.
Принята к печати: 1 апреля 2026 г.
Выставление онлайн: 2 июня 2026 г.
Наблюдалось увеличение проводимости аморфного нитрида кремния Si3N4 примерно на три порядка в результате облучения его ионами бора с энергией 100 keV и дозой 3·1014 сm2. Отжиг облученных образцов возвращал проводимость к исходному значению. Увеличение проводимости облученного Si3N4 объясняется образованием радиационных дефектов. Перенос заряда в исходном (до облучения) образце Si3N4 удовлетворительно описывается многофононным механизмом ионизации изолированных ловушек с термической энергией Wt=1.6 eV. После облучения ионами перенос заряда в Si3N4 ограничивается фонон-облегченным туннелированием между соседними ловушками с Wt=1.45 eV. Ключевые слова: многофононная ионизация, фонон-облегченное туннелирование, радиационные дефекты, ловушки, Si-Si-связи.
- В.А. Гриценко. Cтроение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах. Наука, М. (1993). 278 с
- G. Li, H. San, X.-Y. Chen. J. Appl. Phys. 105, 12, 124503 (2009)
- Y. Yu, W. Li, P. Wu, C. Jiang, X. Xiao. Appl. Phys. Lett. 109, 19, 193505 (2016)
- A.A. Gismatulin, V.A. Gritsenko. Scripta Materialia 270, 116968 (2026)
- В.А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.А. Гисматулин. ФТТ 67, 11, 2117 (2025)
- Я.И. Френкель. ЖЭТФ 8, 12, 1292 (1938). [Ya.I. Frenkel'. Sov. Phys. --- JETP 8, 12, 1292 (1938). (in Russ.)]
- S.M. Sze. J. Appl. Phys. 38, 7, 2951 (1967)
- S.S. Makram-Ebeid, M. Lannoo. Phys. Rev. B 25, 10, 6406 (1982)
- Yu.N. Novikov, V.A. Gritsenko. J. Non-Crystal. Solids 582, 121442 (2022)
- K.A. Nasyrov, V.A. Gritsenko. J. Appl. Phys. 109, 9, 093705 (2011)
- A.A. Gismatulin, Yu.N. Novikov, N.V. Andreeva, D.S. Mazing, V.A. Gritsenko. Appl. Phys. Lett. 125, 6, 062901 (2024)
- L. Huckmann, J. Cottom, J. Meyer. Adv. Phys. Res. 3, 2, 2300109 (2024)
- C. Wilhelmer, D. Waldhor, L. Cvitkovich, D. Milardovich, M. Waltl, T. Grasser. Phys. Rev. B 110, 4, 045201 (2024)
- В.А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А.В. Шапошников, Ю.Н. Мороков. ФТП 35, 9, 1041 (2001). [V.A. Gritsenko, Yu.N. Novikov, A.V. Shaposhnikov, Y.N. Morokov. Semiconductors 35, 9, 997 (2001).]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
