Спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов в кристаллических пленках ZnO
Мездрогина М.М.1, Еременко М.В.1, Голубенко С.М.2, Разумов С.Н.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: margaret.m@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Исследовано влияние отжига в среде ионизированного азота, дополнительно введенных примесей, режимов постростового отжига на спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов (Ce, Eu, Sm, Er, Tm, Yb) в кристаллических пленках ZnO. Пленки получены методами молекулярно-лучевого эпитаксиального роста и магнетронного распыления. По данным рентгеноструктурного анализа пленки были монокристаллическими. Показано, что отжиг в среде ионизированного азота вне зависимости от метода получения пленок ZnO приводит к существенным изменениям спектра фотолюминесценции: уменьшению интенсивности излучения, сдвигу максимума излучения в длинноволновую область спектра. Концентрация азота определялась методом ядерных реакций. Обнаружены интенсивные линии излучения внутрицентровых 4f-переходов редкоземельных элементов (Sm, Er, Tm, Yb) в кристаллических пленках ZnO, полученных методом магнетронного распыления, интенсивность излучения линий увеличивается при введении ко-допантов - Ce, Er. Работа выполнена при поддержке программы президиума РАН "Сильно коррелированные системы".
- Zinc oxide bulk, thin films and nanostructures precessing, properties and applications / Ed. C. Jagadish, S. Pearton. Elsevier, Amsterdam, (2006). 589 p
- D.C. Look. J. Electron. Mater. 35, 1299 (2006)
- P.M. Parthangal, R.E. Cavicchi, M.R. Zachariah. Nanotechnology 17, 3786 (2006)
- Z. Zhou, T. Komori, M. Yoshino, M. Morinaga, N. Matsunami, A. Koizumi, Y. Takeda. Appl. Phys. Lett. 86, 041 107 (2005)
- А.А. Каминский. Лазерные кристаллы. Наука, М. (1975)
- Y. Iqbal, X. Liu, H. Zhu, Ch. Pan, Y. Zhang, D. Yu, R. Yu. J. Appl. Phys. 106, 083 515 (2009)
- J. Lang, Q. Ham, C. Li, J. Yang, X. Li, L. Yang, Y. Zhang, M. Gao, D. Wang, J. Cao. J. Appl. Phys. 107, 074 302 (2010)
- X.M. Teng, H.T. Fan, S.S. Pan, C. Ye, G.H. Li. J. Appl. Phys. 100, 053 507 (2006)
- M. Ishi, Sh. Komura, T. Morikawa, Y. Aoyagi. J. Appl. Phys. 89, 3679 (2001)
- S.O. Kuchehev, J.E. Brandby, S. Ruffel, C.P. Li, T.E. Felter, A.V. Hamzo. Appl. Phys. Lett. 90, 221 901 (2007)
- В.М. Лебедев. Сб. тр. IV Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". СПб. (2004). 329 с
- М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, Н.А. Феоктистов, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин, С.В. Разумов, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 42, 7, 782 (2008)
- М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин, Н.К. Полетаев, А.В. Марченко, Г.А. Бордовский, М.В. Чукичев, М.В. Еременко. ФТП 44, 4, 445 (2010)
- М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. ФТП 44, 3, 338 (2010)
- В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, О.В. Кожанова. ФТП 40, 9, 1033 (2006)
- J. Peterson, Ch. Brimont, M. Gallart, P. Gillot, G. Schrenber, C. Ulpag-Bullet, C. Collins, A. Dinia. J. Appl. Phys. 107, 123 522 (2010)
- S. Soumahoro, G. Schmerber, D. Danayar, S. Colis, M. Abd-Lefdie, N. Nassanain, A. Berrada, D.-H. Hiller, A. Slaouri, H. Rinner, A. Dinia. J. Appl. Phys. 109, 033 708 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
