Издателям
Вышедшие номера
Спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов в кристаллических пленках ZnO
Мездрогина М.М.1, Еременко М.В.1, Голубенко С.М.2, Разумов С.Н.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

Исследовано влияние отжига в среде ионизированного азота, дополнительно введенных примесей, режимов постростового отжига на спектры фотолюминесценции внутрицентровых 4f-переходов легирующих примесей редкоземельных металлов (Ce, Eu, Sm, Er, Tm, Yb) в кристаллических пленках ZnO. Пленки получены методами молекулярно-лучевого эпитаксиального роста и магнетронного распыления. По данным рентгеноструктурного анализа пленки были монокристаллическими. Показано, что отжиг в среде ионизированного азота вне зависимости от метода получения пленок ZnO приводит к существенным изменениям спектра фотолюминесценции: уменьшению интенсивности излучения, сдвигу максимума излучения в длинноволновую область спектра. Концентрация азота определялась методом ядерных реакций. Обнаружены интенсивные линии излучения внутрицентровых 4f-переходов редкоземельных элементов (Sm, Er, Tm, Yb) в кристаллических пленках ZnO, полученных методом магнетронного распыления, интенсивность излучения линий увеличивается при введении ко-допантов --- Ce, Er. Работа выполнена при поддержке программы президиума РАН "Сильно коррелированные системы".
  1. Zinc oxide bulk, thin films and nanostructures precessing, properties and applications / Ed. C. Jagadish, S. Pearton. Elsevier, Amsterdam, (2006). 589 p
  2. D.C. Look. J. Electron. Mater. 35, 1299 (2006)
  3. P.M. Parthangal, R.E. Cavicchi, M.R. Zachariah. Nanotechnology 17, 3786 (2006)
  4. Z. Zhou, T. Komori, M. Yoshino, M. Morinaga, N. Matsunami, A. Koizumi, Y. Takeda. Appl. Phys. Lett. 86, 041 107 (2005)
  5. А.А. Каминский. Лазерные кристаллы. Наука, М. (1975)
  6. Y. Iqbal, X. Liu, H. Zhu, Ch. Pan, Y. Zhang, D. Yu, R. Yu. J. Appl. Phys. 106, 083 515 (2009)
  7. J. Lang, Q. Ham, C. Li, J. Yang, X. Li, L. Yang, Y. Zhang, M. Gao, D. Wang, J. Cao. J. Appl. Phys. 107, 074 302 (2010)
  8. X.M. Teng, H.T. Fan, S.S. Pan, C. Ye, G.H. Li. J. Appl. Phys. 100, 053 507 (2006)
  9. M. Ishi, Sh. Komura, T. Morikawa, Y. Aoyagi. J. Appl. Phys. 89, 3679 (2001)
  10. S.O. Kuchehev, J.E. Brandby, S. Ruffel, C.P. Li, T.E. Felter, A.V. Hamzo. Appl. Phys. Lett. 90, 221 901 (2007)
  11. В.М. Лебедев. Сб. тр. IV Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". СПб. (2004). 329 с
  12. М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, Н.А. Феоктистов, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин, С.В. Разумов, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 42, 7, 782 (2008)
  13. М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин, Н.К. Полетаев, А.В. Марченко, Г.А. Бордовский, М.В. Чукичев, М.В. Еременко. ФТП 44, 4, 445 (2010)
  14. М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. ФТП 44, 3, 338 (2010)
  15. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, О.В. Кожанова. ФТП 40, 9, 1033 (2006)
  16. J. Peterson, Ch. Brimont, M. Gallart, P. Gillot, G. Schrenber, C. Ulpag-Bullet, C. Collins, A. Dinia. J. Appl. Phys. 107, 123 522 (2010)
  17. S. Soumahoro, G. Schmerber, D. Danayar, S. Colis, M. Abd-Lefdie, N. Nassanain, A. Berrada, D.-H. Hiller, A. Slaouri, H. Rinner, A. Dinia. J. Appl. Phys. 109, 033 708 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.