Влияние стехиометрических дефектов на спектр комбинационного рассеяния света и поляризационную анизотропию в двумерном магнитном полупроводнике CrSBr
Гусенков Д.Л.1,2, Чиглинцев Э.О.3,4, Чернов А.И.3,4, Савин В.В.1, Моргунов Р.Б.1,2,4,5
1Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН, Черноголовка, Россия
2ФГАОУ ВО Первый МГМУ им. И.М. Сеченова Минздрава России (Сеченовский Университет), Москва, Россия
3Центр фотоники и двумерных материалов, Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Россия
4Российский квантовый центр, Инновационный Центр "Сколково", Москва, Россия
5Балтийский федеральный университет им. Иммануила Канта, Калининград, Россия

Email: spintronics2022@yandex.ru
Поступила в редакцию: 26 октября 2025 г.
В окончательной редакции: 19 января 2026 г.
Принята к печати: 27 января 2026 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2026 г.
Представлены результаты исследований оптических свойств образцов CrSBr с различной стехиометрией. В одном из образцов был дефицит брома и наличие примесной фазы Cr2S3. Поляризационная спектроскопия комбинационного рассеяния света выявила, что такие дефекты приводят к снижению интенсивности основных колебательных мод, их уширению и смещению частот. Полученные результаты демонстрируют, что спектроскопия комбинационного рассеяния света является эффективным, неразрушающим методом для быстрой оценки стехиометрии и качества кристаллов CrSBr, что имеет первостепенное значение для воспроизводимости их магнитных и оптических свойств. Ключевые слова: двумерные полупроводники, стехиометрия, спектроскопия КРС, рентгено-флюоресцентный анализ.
- K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science 306, 666 (2004)
- A. Liu, X. Zhang, Z. Liu, X. Xuan, B.I. Yakobson, M.C. Hersam, W. Guo. Nano-Micro Lett. 16, 119 (2024)
- B. Huang, G. Clark, E. Navarro-Moratalla, D.R. Klein, R. Cheng, K.L. Seyler, D. Zhong, E. Schmidgall, M.A. McGuire, D.H. Cobden, W. Yao, D. Xiao, P. Jarillo-Herrero, X. Xu. Nature 546, 270 (2017)
- C. Gong, L. Li, Z. Li, H. Ji, A. Stern, Y. Xia, T. Cao, W. Bao, C. Wang, Y. Wang, Z.Q. Qiu, R.J. Cava, S.G. Louie, J. Xia, X. Zhang. Nature 546, 265 (2017)
- E.J. Telford, A.H. Dismukes, K. Lee, R.A. Wiscons, J. Wang, X. Xu, C. Nuckolls, C.R. Dean, X. Roy, X. Zhu. Adv. Mater. 32, 2003240 (2020)
- K. Lee, A.H. Dismukes, E.J. Telford, R.A. Wiscons, J. Wang, X. Xu, C. Nuckolls, C.R. Dean, X. Roy, X. Zhu. Nano Lett. 21, 3511 (2021)
- M.A. Pimenta, G.C. Resende, H.B. Ribeiro, B.R. Carvalho. Phys. Chem. Chem. Phys. 23, 27103 (2021)
- H.B. Ribeiro, M.A. Pimenta, C.J.S. de Matos, R.L. Moreira, A.S. Rodin, J.D. Zapata, E.A.T. de Souza, A.H.C. Neto. ACS Nano 9, 4270 (2015)
- N. Mao, X. Wang, Y. Lin, B.G. Sumpter, Q. Ji, T. Palacios, S. Huang, V. Meunier, M.S. Dresselhaus, W.A. Tisdale, L. Liang, X. Ling, J. Kong. J. Am. Chem. Soc. 141, 18994 (2019)
- K. Torres, A. Kuc, L. Maschio, T. Pham, K. Reidy, L. Dekanovsky, Z. Sofer, F.M. Ross, J. Klein. Adv. Funct. Mater. 33, 2211366 (2023)
- J. Klein, Z. Song, B. Pingault, F. Dirnberger, H. Chi, J.B. Curtis, R. Dana, R. Bushati, J. Quan, L. Dekanovsky, Z. Sofer, F.M. Ross. Nano Lett. 13, 5092 (2022)
- A. Gayen, G.H. An, I.N. Rahman, M. Choi, Q. Mustaghfiroh, P.V. Gaikwad, E.S.H. Kang, K.-H. Kim, C. Liu, K. Kim, J. Bang, H.S. Lee, D.-H. Kim. Nanoscale 16, 17452 (2024)
- P. Mondal, D.I. Markina, L. Hopf, L. Krelle, S. Shradha, J. Klein, M.M. Glazov, I. Gerber, K. Hagmann, R.V. Klitzing, K. Mosina, Z. Sofer, B. Urbaszek. npj 2D Mater. Appl. 9, 22 (2025)
- Д.Л. Гусенков, Р.А. Валеев, В.П. Пискорский, А.И. Чернов, Р.Б. Моргунов. ФТТ 67, 2, 295 (2025)
- D.L. Gusenkov, A.I. Tiurin, M.V. Bakhmetiev, E.I. Kunitsyna, E.O. Chiglintsev, M.K. Tatmyshevskiy, A.I. Chernov, R.B. Morgunov. J. Phys. Chem. Solids 199, 112589 (2025)
- E.J. Telford, D.G. Chica, M.E. Ziebel, K. Xie, N.S. Manganaro, C. Huang, J. Cox, A.H. Dismukes, X. Zhu, J.P.S. Walsh, T. Cao, C.R. Dean, X. Roy. Adv. Phys. Res. 2, 2300036 (2023)
- L. Xie, J. Wang, J. Li, C. Li, Y. Zhang, B. Zhu, Y. Guo, Z. Wang, K. Zhang. Adv. Electron. Mater. 7, 2000962 (2020)
- S.-H. Shim, T.S. Duffy, R. Jeanloz, C.-S. Yoo, V. Iota. Phys. Rev. B 69, 144107 (2004)