Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм транспорта заряда в бесформовочном мемристоре на основе MgO

Государственное задание, FWGW-2025-0010

Гисматулин А.А.¹, Горшков Д.В.², Герасимов Е.Ю.³, Гриценко В.А.^1,4

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²АО "Катод", Новосибирск, Россия
³Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия Boreskov Institute of Catalysis, Siberian Branch of RAS, Novosibirsk, Russia

Boreskov Institute of Catalysis, Siberian Branch of RAS, Novosibirsk, Russia

⁴Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

Email: aagismatulin@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 26 января 2026 г.

В окончательной редакции: 27 января 2026 г.

Принята к печати: 30 января 2026 г.

Выставление онлайн: 20 февраля 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Определен механизм транспорта заряда в высокоомном и низкоомном состояниях бесформовочного мемристора на основе MgO. Мемристор на основе MgO продемонстрировал окно памяти около трех порядков разницы по сопротивлению в высокоомном и низкоомном состояниях. Установлено, что механизм транспорта заряда в мемристоре на основе MgO в высокоомном и низкоомном состояниях описывается моделью тока, ограниченного пространственным зарядом. Определены концентрация ловушек в мемристоре на основе MgO в высокоомном (N_t=1.7·10¹⁸ cm^-3) и низкоомном состояниях (N_t=0.8·10¹⁸ cm^-3). Ключевые слова: бесформовочный мемристор, ток с ограниченным пространственным зарядом, перенос заряда.

J. Li, W. Hu, Q. Wei, S. Wu, S. Hua, J. Zhang. J. Electron. Mater. 46, 1466-1475 (2017)
A. O'Mahony, C.A. Craven, M.J. Minot, M.A. Popecki, J.M. Renaud, D.C. Bennis, J.L. Bond, M.E. Stochaj, M.R. Foley, B.W. Adams, A.U. Mane. J. Vacuum Sci. Techn. A 34, 01A128 (2016)
Y. Wan, C. Samundsett, J. Bullock, M. Hettick, T. Allen, D. Yan, J. Peng, Y. Wu, J. Cui, A. Javey, A. Cuevas. Adv. Energy Mater. 7, 1601863 (2017)
F. Schleicher, U. Halisdemir, D. Lacour, M. Gallart, S. Boukari, G. Schmerber, V. Davesne, P. Panissod, D. Halley, H. Majjad, Y. Henry, B. Leconte, A. Boulard, D. Spor, N. Beyer, C. Kieber, E. Sternitzky, O. Cregut, M. Ziegler, F. Montaigne, E. Beaurepaire, P. Gilliot, M. Hehn, M. Bowen. Nat. Commun. 5, 4547 (2014)
S. Jung, H. Lee, S. Myung, H. Kim, S.K. Yoon, S.-W. Kwon, Y. Ju, M. Kim, W. Yi, S. Han, B. Kwon, B. Seo, K. Lee, G.-H. Koh, K. Lee, Y. Song, C. Choi, D. Ham, S.J. Kim. Nature 601, 211-216 (2022)
S.C.W. Chow, P.A. Dananjaya, J.M. Ang, D.J.J. Loy, J.R. Thong, S.W. Hoo, E.H. Toh, W.S. Lew. Appl. Surf. Sci. 608, 55233, (2023). DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.155233
J.M. Teixeira, J. Ventura, R. Fermento, J.P. Araujo, J.B. Sousa, P. Wisniowski, P.P. Freitas. J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 105407 (2009)
L.M. Guerra, C. Dias, J. Pereira, H. Lv, S. Cardoso, P.P. Freitas, J. Ventura. J. Nanosci. Nanotechnol. 17, 564-567 (2017)
W. Lu, W. Chen, Y. Li, R. Jha. IEEE J. Emerging Sel. Top. Circuits Syst. 6, 163-170 (2016)
L. Yan, C.M. Lopez, R.P. Shrestha, E.A. Irene, A.A. Suvorova, M. Saunders. Appl. Phys. Lett. 88, 142901, (2006). DOI: 10.1063/1.2191419
A. Posadas, F.J. Walker, C.H. Ahn, T.L. Goodrich, Z. Cai, K.S. Ziemer. Appl. Phys. Lett. 92, 233511 (2008). DOI: 10.1063/1.2944865
J. Guo, S. Ren, L. Wu, X. Kang, W. Chen, X. Zhao. Appl. Surf. Sci. 434, 1074-1078 (2018). DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.11.026
S.L. Fang, W.H. Liu, X. Li, X.L. Wang, L.i. Geng, M.S. Wu, X.D. Huang, C.Y. Han. Appl. Phys. Lett. 115, 244102 (2019)
B. Dang, Q. Wu, J. Sun, M. Zhao, S. Wang, F. Song, M. Yang, X. Ma, H. Wang, Y. Hao. IEEE Electron Device Lett. 40, 1265 (2019)
Y. Cao, S. Wang, J. Lv, F. Li, Q. Liang, M. Yang, X. Ma, H. Wang, Y. Hao. IEEE Trans. Electron Devices 69, 3118, (2022)
Я.И. Френкель. ЖЭТФ 8, 1292-1301 (1938)
J. Frenkel. Phys. Rev. B 54, 647 (1938)
R.M. Hill. Philosophical Magazine 23, 59-86 (1971)
H. Adachi, Y. Shibata, S. Ono. J. Phys. D: Appl. Phys. 4, 988-994 (1971)
S.S. Makram-Ebeid, M. Lannoo. Phys. Rev. B 25, 6406 (1982)
K.A. Nasyrov, V.A. Gritsenko. J. Appl. Phys. 109, 093705 (2011)
M.A. Lampert, P. Mark. Current injection in solids. Academic Press, N.-Y. (1970). 351 p
V.A. Voronkovskii, V.S. Allev, A.K. Gerasimova, D.R. Islamov, Mater, Res, Express 6, 7, 076411 (2019)
A.A. Gismatulin, G.N. Kamaev, V.N. Kruchinin, V.A. Gritsenko, O.M. Orlov, A. Chin. Sci. Rep. 11, 2417 (2021). DOI: 10.1038/s41598-021-82159-7
A.A. Gismatulin, O.M. Orlov, V.A. Gritsenko, G.Ya. Krasnikov. Chaos Solitons Fract. 142, 110458 (2021). DOI: 10.1016/j.chaos.2020.110458

Учредители

Издатель