Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Природа интерфейсной рекомбинации в гетероструктурах на основе твердых растворов InAsSb(P)
Кириленко Я.Д.1, Романов В.В.
2, Баженов Н.Л.
2, Трапезникова И.Н.
2, Мынбаев К.Д.
2, Моисеев К.Д.
2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: idkirilenko@itmo.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2025 г.
В окончательной редакции: 13 декабря 2025 г.
Принята к печати: 15 декабря 2025 г.
Выставление онлайн: 20 февраля 2026 г.
Исследованы оптическое пропускание и электролюминесценция гетероструктур на основе твердых растворов InAsSb(P). С помощью спектров оптического пропускания установлена зависимость концентрации носителей заряда в рабочем слое InAs1-ySby от содержания в нем InSb. Показано, что увеличение концентрации носителей заряда противоположных знаков в потенциальных ямах на гетерогранице InAsSb/InAsSbP приводит к образованию сильного диполя, что позволяет сделать интерфейсные переходы основным каналом излучательной рекомбинации в таких узкозонных гетероструктурах. Ключевые слова: InAsSb(P), оптическое пропускание, электролюминесценция, интерфейсные переходы.
- G.F. Rangel, L.D. de Leon Marti nez, L.S. Walter, B. Mizaikoff. Trends Anal. Chem. 180, 117916 (2024)
- Y. Tang, Y. Zhao, H. Liu. ACS Sens. 7, 12, 3582 (2022)
- M. Hlavatsch, B. Mizaikof. Anal. Sci. 38, 1125 (2022)
- W. Gawron, P. Madejczyk, P. Martyniuk, S. Krishna. IEEE Sens. J. 24, 9, 14151 (2024)
- H. Fujita, D. Yasuda, S. Ota, H. Geka, E. Gomes Camargo, S. Isshiki, T. Fukunaka, N. Kuze. IEEE Sens. Lett. 7, 9, 3502004 (2023)
- M.S. Ruzhevich. Rev. Adv. Mater. Technol. 3, 4, 24 (2021)
- А.А. Семакова, В.В. Романов, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, К.Д. Моисеев. ФТП 55, 3, 277 (2021)
- I.D. Kirilenko, M.S. Ruzhevich, N.L. Bazhenov, M.V. Tomkovich, V.V. Romanov, K.D. Moiseev, K.D. Mynbaev. Rev. Adv. Mater. Technol. 6, 4, 178 (2024)
- I.D. Kirilenko, M.S. Ruzhevich, V.V. Romanov, K.D. Moiseev, M.V. Dorogov, M.V. Tomkovich, D.D. Firsov, I.V. Chumanov, O.S. Komkov, K.D. Mynbaev. St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics 18, 1.1, 105 (2025)
- М.М. Григорьев, П.А. Алексеев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП 47, 1, 30 (2013)
- В.В. Романов, К.Д. Моисеев. ФТТ 65, 10, 1707 (2023)
- NSM Archive [Электронный ресурс]: Physical Properties of Semiconductors. --- Режим доступа: http://www.matprop.ru/ (дата обращения 17.09.2025)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТТ 61, 10, 1746 (2019)
- В.В. Романов, И.А. Белых, Э.В. Иванов, П.А. Алексеев, Н.Д. Ильинская, Ю.П. Яковлев. ФТП 53, 6, 832 (2019)
- К.Д. Моисеев, В.В. Романов. ФТТ 63, 4, 475 (2021)
- М.М. Григорьев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП 45, 10, 1386 (2011)
- К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП 37, 8, 1010 (2003)
- В.В. Романов, К.Д. Моисеев. ФТТ 65, 10, 1707 (2023).
