Влияние термической обработки на оптические и электрофизические свойства α-GeTe
Давыдов В.Ю.
1, Смирнов A.H.
1, Eлисеев И.А.
1, Сахно М.К.
1, Мясоедов А.В.
1, Пшенай-Северин Д.А.
1, Шабалдин А.А.
1, Бурков А.Т.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Email: valery.davydov@mail.ioffe.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru, ilya.eliseyev@mail.ioffe.ru, serpentcase@gmail.com, a.v.myasoedov@mail.ioffe.ru, d.pshenay@mail.ru, berrior@rambler.ru, a.burkov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2025 г.
В окончательной редакции: 8 сентября 2025 г.
Принята к печати: 11 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 30 января 2026 г.
Выполнены комплексные исследования, направленные на изучение влияния структурных изменений, вызванных термической обработкой, на оптические и электрофизические свойства GeTe в его ромбоэдрической структурной модификации с использованием методов μ-КР и μ-ФЛ, а также измерений температурных зависимостей электросопротивления и коэффициента Холла в широком диапазоне температур. Для данного соединения впервые обнаружена инфракрасная ФЛ в диапазоне 0.7-0.8 eV. Анализ экспериментальных зависимостей спектров ФЛ от концентрации носителей заряда (дырок) и температуры с использованием результатов расчетов электронной структуры в приближении функционала электронной плотности позволил установить ее межзонную природу. Ключевые слова: теллурид германия, комбинационное рассеяние света, фотолюминесценция, электро- и теплопроводность, термоэдс.
- E.M. Levin, M.F. Besser, R. Hanus. J. Appl. Phys. 114, 083713 (2013). DOI: 10.1063/1.4819222
- S. Perumal, S. Roychowdhury, K. Biswas. J. Mater. Chem. C 4, 7520 (2016). DOI: 10.1039/C6TC02501C
- J. Li, Z. Chen, X. Zhang, H, Yu, Z. Wu, H. Xie, Y. Chen, Y. Pei. Adv. Sci. 4, 1700341 (2017). DOI: 10.1002/advs.201700341
- Б.Ф. Грузинов, П.П. Константинов. ПТЭ 5, 225 (1972)
- A.T. Burkov, A. Heinrich, P.P. Konstantinov, T. Nakama, K. Yagasaki. Meas. Sci. Technol. 12, 264 (2001). DOI: 10.1088/0957-0233/12/3/304
- А.А. Шабалдин, А.Ю. Самунин, П.П. Константинов, С.В. Новиков, А.Т. Бурков, Zh. Bu, Y. Pei. ФТП 56, 261 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52107.34
- S. Yang, F. Sui, Y. Liu, R. Qi, X. Feng, S. Dong, P. Yang, F. Yue. Nanoscale 15, 13297 (2023). DOI: 10.1039/d3nr02678g
- E.F. Steigmeier, G. Harbeke. Solid State Commun. 8, 1275 (1970). DOI: 10.1016/0038-1098(70)90619-8
- G. Kresse, J. Furthmuller. Phys. Rev. B 54, 11169 (1996). DOI: 10.1103/PhysRevB.54.11169
- G. Kresse, D. Joubert. Phys. Rev. B 59, 1758 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevB.59.1758
- U.D. Wdowik, K. Parlinski, S. Rols, T. Chatterji. Phys. Rev. B 89, 224306 (2014). DOI: 0.1103/PhysRevB.89.224306
- S.K. Bahl, K.R. Chopra. J. Appl. Phys. 40, 4940 (1969). DOI: 10.1063/1.1657318
- J.E. Lewis. Phys. Status Solidi B 59, 367 (1973). DOI: 10.1002/pssb.2220590138
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS. Наука, М. (1968). 383 с