Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоиндуцированные изменения импеданса и проводимости пленок CuInSe₂ в зависимости от технологии их синтеза

Романова О.Б.

¹, Аплеснин С.С.

^1,2, Гаджиев Т.М.³, Ситников M.Н.², Алиев М.А.³, Никитинский О.С.², Удод Л.В.

^1,2

¹Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russia

Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russia

²Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, Russia

Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, Russia

³Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Daghestan Federal Research Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Daghestan Federal Research Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Email: rob@iph.krasn.ru, apl@iph.krasn.ru, gadjiev_timur@mail.ru, kineru@mail.ru, aliev_marat@mail.ru, onikitinsky@yandex.ru, luba@iph.krasn.ru

Поступила в редакцию: 24 октября 2025 г.

В окончательной редакции: 24 октября 2025 г.

Принята к печати: 25 октября 2025 г.

Выставление онлайн: 28 ноября 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Методом управляемой селенизации были синтезированы пленки CuInSe₂ с халькопиритной структурой. Установлено, что температура селенизации (T_sel) является критическим параметром, определяющим морфологию и электрофизические свойства пленок. Найдена нелинейная вольт-амперная характеристика, обусловленная электрической неоднородностью материала. Определена оптимальная T_sel=350 ^oC, при которой наблюдается максимальный фотоэффект и наибольшее время релаксации. При T_sel<300 ^oC обнаружено фотоиндуцированное изменение импеданса. Ключевые слова: поликристаллические пленки, электрофизические свойства, фотопроводимость

T. Nakada, K. Migita, A. Kunioka. Jpn. J. Appl. Phys. 32, L1169 (1993). DOI: 10.1143/jjap.32.l1169
Е.П. Зарецкая, В.Ф. Гременюк, В.Б. Залесский, В.А. Иванов, И.В. Викторов, В.И. Ковалевский, О.В. Ермаков, Т.Р. Леонова. ЖТФ 70, 141 (2000)
J. Ramanujam, U.P. Singh. Energy Environ.Sci. 10, 1306 (2017). DOI: 10.1039/C7EE00826K
X. Liu, Y. Feng, H. Cui, F. Liu, X. Hao, G. Conibeer, D.B. Mitzi, M. Green. Prog. Photovolt. 24, 879 (2016). DOI: 10.1002/pip.2741
J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties, and Applications. Pergamon, Press (1975). 244 p.
P. Jackson, R. Wuerz, D. Hariskos, E. Lotter, W. Witte, M. Powalla. Phys. Stat. Sol. Rapid Res. Lett. 10, 583 (2016). DOI: 10.1002/pssr.201600199
M. Jamiati. JITL 4, 365 (2021). DOI: 10.22051/JITL.2022.35435.1051
S. Lany, A. Zunger. Phys. Rev. B 78, 235104 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevB.72.035215
S. B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yoshida. Phys. Rev. B 57, 9642 (1998). DOI: 10.1103/PhysRevB.57.9642
J.M. Cho, E.J. Bae, J.D. Suh, K.B. Song. J. Nanoelectron. Optoe. 5, 218 (2010). DOI: 10.1166/jno.2010.1097
A. Rockett, R. W. Birkmire. J. Appl. Phys. 70, R81 (1991). DOI: 10.1063/1.349175
M. Igalson, H. W. Schock. J. Appl. Phys. 80, 5765 (1996). DOI: 10.1063/1.363631
D. Schmid, M. Ruckh, F. Grunwald, H.W. Schock. J. Appl. Phys. 73, 2902. (1993). DOI: 10.1063/1.353020
A. Zakery, S.R. Elliott. J. Non-Cryst. Solids 330, 1 (2003). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2003.08.064
U. Rau, J.H. Werner. Appl. Phys. Lett. 84, 3735 (2004). DOI: 10.1063/1.1737071
T. Feurer, P. Reinhard, E. Avancini, B. Bissig, J. Lockinger, P. Fuchs, R. Carron, T. P. Weiss, J. Perrenoud, S. Stutterheim, S. Buecheler, A.N. Tiwari. Prog. Photovolt. 25, 645 (2017). DOI: 10.1002/PIP.2811
S. Ouedraogo, M.B. Kebre, A.T. Ngoupo, D. Oubda, F. Zougmore, J.-M. Ndjaka. AMPC 10, 151 (2020). DOI: 10.4236/AMPC.2020.107011
S. Mandati, B.V. Sarada, S.R. Dey, S.V. Joshi. Semiconductors-Growth and Characterization / Edited by R. Inguanta and C. Sunseri (2018). DOI: 10.5772/intechopen.71857
M.R. Pallavolu, R.R. Nallapureddy, H.R. Barai, S.W. Joo. Thin Solid Films 709, 138238 (2020). DOI: 10.1016/j.tsf.2020.138238
G.M. Mikhailov, I.V. Malikov, A.V. Chernykh, V.T. Petrashov. Thin Solid Films 293, 315 (1997). DOI: 10.1016/S0040-6090(96)08953-5
G. Regmi, S. Velumani. Mat. Sci. Semicond. 137, 106215 (2022) DOI: 10.1016/j.mssp.2021.106215
N.F. Mott, E.F. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials. Clarendon Press, Oxford (1971). 438 р

Учредители

Издатель