Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Надежность МДП-структур на основе пленок титаната бария стронция и оксида гафния
Российский научный фонд, № 23-49-10014
Афанасьев М.С.
1, Белорусов Д.А.
1, Киселев Д.А.
1, Лузанов В.А.
1, Чучева Г.В.
1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия 
Email: gvc@fireras.su
Поступила в редакцию: 28 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 1 октября 2025 г.
Принята к печати: 2 октября 2025 г.
Выставление онлайн: 28 ноября 2025 г.
Сегнетоэлектрические пленки титаната бария стронция (BST) и оксида гафния (HfO2) синтезированы на кремниевые подложки методом высокочастотного напыления и магнетронного распыления соответственно. Представлены результаты исследований структурного состава пленок BST и HfO2 и электрофизических свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник (Ni-BST-Si) и (Ni-HfO2-Si) на их основе. Ключевые слова: сегнетоэлектрические пленки, титанат бария стронция (BST), оксид гафния (HfO2), структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), электрофизические свойства.
- Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд: учебное пособие / под редакцией К.М. Рабе [и др.]. 3-е изд. (эл.). Лаборатория знаний, М. (2015). 443 с
- Д.А. Абдуллаев, Р.А. Милованов, Р.Л. Волков, Н.И. Боргардт, А.Н. Ланцев, К.А. Воротилов, А.С. Сигов. Российский технологический журнал 8, 5, 44 (2020)
- К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / под ред. А.С. Сигова. Энергоатомиздат, М. (2011). 175 с
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ 2, 110 (1997)
- М.С. Афанасьев, Д.А. Белорусов, Д.А. Киселев, В.А. Лузанов, Г.В. Чучева. РЭНСИТ: Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии. 16, 7, 867 (2024)
