Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Геометрия квантовых точек InSb, выращенных на поверхности матричного слоя In(As,Sb)

Пархоменко Я.А.¹, Дементьев П.А.¹, Моисеев К.Д. ¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: mkd@iropt2.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 3 июля 2025 г.

В окончательной редакции: 3 июля 2025 г.

Принята к печати: 4 июля 2025 г.

Выставление онлайн: 11 сентября 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Методом жидкофазной эпитаксии получены массивы квантовых точек InSb на матричных слоях твердых растворов в системе InAs-InSb. Показано влияние дополнительного элемента, вводимого в кристаллическую решетку матричного слоя, на поверхностную плотность, геометрические параметры и структурные свойства наращенных наногетероструктур. Присутствие общего элемента в матричном слое InAs_1-ySb_y и наноостровках InSb позволило повысить поверхностную плотность квантовых точек до 1.8·10¹⁰ cm^-2. Наблюдалась трансформация формы наноостровков (от выпуклой линзы до усеченной пирамиды) в зависимости от матричного слоя в интервале составов 0<y<0.09. Была предложена модель формы самоорганизующихся квантовых точек InSb, осаждаемых на поверхность тройного твердого раствора в системе InAs-InSb. Ключевые слова: квантовые точки, твердые растворы, InAs, InSb, атомно-силовая микроскопия, наногетероструктуры.

F. Hatami, S.M. Kim, H.B. Yuen, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett. 89, 133115 (2006)
К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, А.В. Анкудинов, Е.В. Гущина, М.П. Михайлова, А.Н. Титков, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ 33, 7, 50 (2007)
A. Karim, O. Gustafsson, L. Hussain, Q. Wang, B. Noharet, M. Hammar, J. Anderson, J. Song. Proc. SPIE 8439, 84391J (2012)
K. Moiseev, E. Ivanov, Ya. Parkhomenko. Electronics 12, 609 (2023). https://doi.org/10.3390
К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, М.П. Михайлова, Н.А. Берт, Ю.П. Яковлев. ФТП 43, 8, 1142 (2009)
Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, Н.А. Прокофьева, Т.Б. Попова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП 25, 9, 1639 (1991)
K. Moiseev, P. Dement'ev, V. Romanov, M. Mikhailova. J. Cryst. Growth 318, 379 (2011)
В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТТ 61, 10, 1746 (2019)
B.J. Spencer, J. Tersoff. Phys. Rev. B 63, 205424 (2001)
В.В. Романов, П.А. Дементьев, К.Д. Моисеев. ФТП 50, 7, 927 (2016)
J. Marquez, L. Geelhaar, K. Jacobi. Appl. Phys. Lett. 78, 2309 (2001)

Учредители

Издатель