Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вариации ширины запрещенной зоны твердых растворов Hg1-xCdxTe после воздействия магнитного поля
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: S-bunchuk@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Проведено экспериментальное исследование спектров оптического пропускания эпитаксиальных слоев Hg1-xCdxTe с градиентом намагниченности. Градиент намагниченности искусственно создан встречным расположением полюсов магнитов. Показана возможность трансформации вида спектров оптического пропускания пленок HgCdTe после их экспонирования в магнитном поле. Высказаны предположения о механизме, лежащем в основе этого явления.
- M.A. Kinch. Fundamentals of infrared detector materials. SPIE Press, Bellingham (2007). V. 76. P. 173
- A. Rogalski. Infrared detectors. CRC Press (2010). 876 p
- З.Ф. Ивасив, Ф.Ф. Сизов, В.В. Тетеркин. Докл. НАН Украины 11, 92 (1999)
- В.В. Тетеркин, З.Ф. Ивасив, Ф.Ф. Сизов. УФЖ 44, 9, 1128 (1999)
- А.В. Бродовой, В.А. Бродовой, В.Г. Колесниченко, В.В. Скороход. УФМ 2, 265 (2001)
- А.В. Бродовой, С.Г. Бунчук, З.Ф. Цибрий. ФТТ 53, 3, 524 (2011)
- Я.И. Френкель. В кн.: Введение в теорию металлов. ГИФМЛ, М. (1958). C. 234
- П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник. Наук. думка, Киев (1975). 682 с
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник / Под ред. акад. А.В. Новоселовой. Наука, М. (1978). 339 c
- З.Ф. Ивасив. Исследование влияния градиента состава и дефектов решетки на оптические, фотоэлектрические свойства и механизмы переноса заряда в твердых растворах HgCdTe и фоточувствительных структурах на их основе. Автореф. канд. дис. Киев (2000). 18 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
