Издателям
Вышедшие номера
Полевая инжекция электронов низких энергий в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа
Масалов С.А.1, Калинина К.В.1, Евтихиев В.П.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergeym@mail.com
Поступила в редакцию: 25 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

Рассматривается процесс полевой эмиссионной инжекции низкоэнергетических электронов (Ee~10 eV) в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe. Зонд сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа используется как полевой эмиттер. Показано, что энергии инжектированных электронов достаточно для ударной ионизации в ZnSe. Ударная ионизация создает высокую концентрацию неравновесных носителей в приповерхностном слое ZnSe. Проведено моделирование транспорта неравновесных носителей в исследуемой гетероструктуре. Учитываются электрическое поле приповерхностного объемного заряда и поверхностная рекомбинация. Расчет показал высокую эффективность заполнения неравновесными носителями активной области CdSe. Работа выполнена при поддержке Научно-технической программы союзного государства "Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе" (Промень), проекта "POLALAS" и государственного контракта Министерства образования и науки РФ N 14.740.11.0270.
  1. М.М. Зверев, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов, С.В. Иванов, И.В. Седова, С.В. Сорокин, С.В. Гронин, П.С. Копьев. Письма в ЖТФ 33, 24, 1 (2007)
  2. N.G. Basov, E.M. Dianov, V.I. Kozlovsky, A.B. Krysa, A.S. Nasibov, Y.M. Popov, A.M. Prokhorov, P.A. Trubenko, E.A. Shcherbakov. Laser Rhys. 6, 608 (1996)
  3. О.В. Богданкевич. Квантовая электрон. 21, 1113 (1994)
  4. K. McKay. Phys. Rev. 84, 829 (1951)
  5. В.С. Вавилов. УФН 75, 263 (1961)
  6. E. Molva, R. Accomo, G. Labrunie, J. Cibert, C. Bodin, L.S. Dang, G. Feuillet. Appl. Phys. Lett. 62, 796 (1993)
  7. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys. 83, 3168 (1998)
  8. С.А. Масалов, В.П. Евтихиев, М.Г. Растегаева, С.В. Иванов. Письма в ЖТФ, 35, 11, 44 (2009)
  9. A. Модинос. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия. Наука, M. (1990). 320 c
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Т. 1. С. 383
  11. В.А. Гуртов. Твердотельная электроника. М. (2005). 392 с
  12. M.P. Seah, W.A. Dench. Surf. Int. Anal. 1, 2 (1997)
  13. H. Wang, K.S. Wong, B.A. Foreman, Z.Y. Yang, G.K.L. Wong. J. Appl. Phys. 83, 4773 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.