Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Полевая инжекция электронов низких энергий в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: sergeym@mail.com
Поступила в редакцию: 25 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Рассматривается процесс полевой эмиссионной инжекции низкоэнергетических электронов (Ee~10 eV) в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe. Зонд сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа используется как полевой эмиттер. Показано, что энергии инжектированных электронов достаточно для ударной ионизации в ZnSe. Ударная ионизация создает высокую концентрацию неравновесных носителей в приповерхностном слое ZnSe. Проведено моделирование транспорта неравновесных носителей в исследуемой гетероструктуре. Учитываются электрическое поле приповерхностного объемного заряда и поверхностная рекомбинация. Расчет показал высокую эффективность заполнения неравновесными носителями активной области CdSe. Работа выполнена при поддержке Научно-технической программы союзного государства "Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе" (Промень), проекта "POLALAS" и государственного контракта Министерства образования и науки РФ N 14.740.11.0270.
- М.М. Зверев, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов, С.В. Иванов, И.В. Седова, С.В. Сорокин, С.В. Гронин, П.С. Копьев. Письма в ЖТФ 33, 24, 1 (2007)
- N.G. Basov, E.M. Dianov, V.I. Kozlovsky, A.B. Krysa, A.S. Nasibov, Y.M. Popov, A.M. Prokhorov, P.A. Trubenko, E.A. Shcherbakov. Laser Rhys. 6, 608 (1996)
- О.В. Богданкевич. Квантовая электрон. 21, 1113 (1994)
- K. McKay. Phys. Rev. 84, 829 (1951)
- В.С. Вавилов. УФН 75, 263 (1961)
- E. Molva, R. Accomo, G. Labrunie, J. Cibert, C. Bodin, L.S. Dang, G. Feuillet. Appl. Phys. Lett. 62, 796 (1993)
- S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys. 83, 3168 (1998)
- С.А. Масалов, В.П. Евтихиев, М.Г. Растегаева, С.В. Иванов. Письма в ЖТФ, 35, 11, 44 (2009)
- A. Модинос. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия. Наука, M. (1990). 320 c
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Т. 1. С. 383
- В.А. Гуртов. Твердотельная электроника. М. (2005). 392 с
- M.P. Seah, W.A. Dench. Surf. Int. Anal. 1, 2 (1997)
- H. Wang, K.S. Wong, B.A. Foreman, Z.Y. Yang, G.K.L. Wong. J. Appl. Phys. 83, 4773 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
