Вышедшие номера
Спектры экситонного отражения в тонких слоях WS2
РНФ, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами» (региональный конкурс) , 24-22-20059
СПбНФ, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами» (региональный конкурс) , 24-22-20059
Котова Л.В. 1, Зедоми Т.Э.1, Кочерешко В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kotova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 14 мая 2025 г.
Принята к печати: 14 мая 2025 г.
Выставление онлайн: 21 июня 2025 г.

Исследованы спектры поляризованного отражения света от мультислоев WS2 помещенных на подложку Si/SiO2. Показано, что особенности спектров фотолюминесценции и отражения на энергиях в области 1.9-2.1 eV связаны размерным квантованием поляритонов в слое WS2 толщиной 0.32 mkm. Определены параметры экситонных поляритонов, такие как резонансная частота, сила осциллятора и затухание. При изучении спектральной зависимости круговой поляризации отраженного от образца света обнаружено проявление оптической анизотропии. Ключевые слова: спектроскопия, дихалькогениды переходных металлов, поляризация, экситоны.
  1. J.A. Wilson, A.D. Yoffe. Adv. Phys. 18, 193--335 (1969)
  2. S. Manzeli, D. Ovchinnikov, D. Pasquier, O.V. Yazyev, A. Kis. Nat. Rev. Mater. 2, 17033 (2017)
  3. М.В. Дурнев, М.М. Глазов. УФН 188, 913 (2018)
  4. X. Duan, H. Zhang. Chem. Rev. 124, 19, 10619--10622, (2024)
  5. K.F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett. 105, 136805 (2010)
  6. K.F. Mak, J. Shan. Nat. Photonics  10, 216--226 (2016)
  7. A. Rani, A. Verma, B.C. Yadav. Mater. Adv. 5, 3535--3562 (2024)
  8. V. Agarwal, K. Chatterjee. Nanoscale 10, 16365--16397 (2018)
  9. S. Aftab, S. Hussain, F. Kabir, Y. Kuznetsova, A.G. Al-Sehemi. J. Mater. Chem. C 12, 1211--1232 (2024)
  10. L. Hou, W. Xu, Q. Zhang, V. Shautsova, J. Chen, Yu Shu, X. Li, H. Bhaskaran, J.H. Warner. ACS Appl. Electron. Mater. 4, 3, 1029--1038 (2022)
  11. T. Devakul, V. Crepel, Y. Zhang, L. Fu. Nat. Commun. 12, 6730 (2021)
  12. K.F. Mak, J. Shan. Nat. Nanotechnol. 17, 686--695 (2022)
  13. J. Michl, C.C. Palekar, S.A. Tarasenko, F. Lohof, C. Gies, M. von Helversen, R. Sailus, S. Tongay, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Heindel, B. Rosa, M. Rodel, T. Shubina, S. Hofling, S. Reitzenstein, C. Anton-Solanas, C. Schneider. Phys. Rev. B 105, L241406 (2022)
  14. Sh. Zhao, Zh. Li, X. Huang, A. Rupp, J. Goser, I.A. Vovk, S.Yu. Kruchinin, K. Watanabe, T. Taniguchi, I. Bilgin, A.S. Baimuratov, A. Hogele. Nat. Nanotechnol. 18, 572--579 (2023)
  15. L.V. Kotova, M.V. Rakhlin, A.I. Galimov, I.A. Eliseyev, B.R. Borodin, A.V. Platonov, D.A. Kirilenko, A.V. Poshakinskiy, T.V. Shubina. Nanoscale 13, 17566 (2021)
  16. P.K. Barman, P.V. Sarma, M.M. Shaijumon, R.N. Kini. Sci. Rep. 9, 2784 (2019)
  17. Д.Д. Белова, Т.Э. Зедоми, Л.В. Котова, В.П. Кочерешко. ПЖТФ 13 (2025). (принята в печать)
  18. В.А. Киселев, Б.С. Разбирин, И.Н. Уральцев. Письма в ЖЭТФ 18, 504--507 (1973)
  19. С.И. Пекар. ЖЭТФ 33, 4, 1022--1036 (1957)
  20. G.A. Ermolaev, D.I. Yakubovsky, Yu.V. Stebunov, A.V. Arsenin, V.S. Volkov. J. Vac. Sci. Technol. B 38, 014002 (2020)
  21. C. Hsu, R. Frisenda, R. Schmidt, A. Arora, S.M. de Vasconcellos, R. Bratschitsch, H.S.J. van der Zant, A. Castellanos-Gomez. Adv. Optical Mater. 7, 1900239 (2019)
  22. H.M. Hill, A.F. Rigosi, C. Roquelet, A. Chernikov, T.C. Berkelbach, D.R. Reichman, M.S. Hybertsen, L.E. Brus, T.F. Heinz. Nano Lett. 15, 2992--2997 (2015)
  23. K. He, N. Kumar, L. Zhao, Z. Wang, K.F. Mak, H. Zhao, J. Shan, Phys. Rev. Lett. 113, 026803 (2014)
  24. M. Koperski, M.R. Molas, A. Arora, K. Nogajewski, A.O. Slobodeniuk, C. Faugeras, M. Potemski. Nanophotonics 6, 6, 1289--1308 (2017)